[發明專利]一種三維立體金屬掩模板及其混合制備方法

有效

• 申請號: 201210010770.5
• 申請日: 2012-01-16
• 公開（公告）號: CN103203972A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 魏志凌;高小平
• 申請（專利權）人: 昆山允升吉光電科技有限公司
• 主分類號: B41C1/14
• 分類號: B41C1/14;B41N1/04;B41N3/00;G03F7/00
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1.一種三維立體金屬掩模版，其特征在于，該種掩模板為具有印刷面單面凸起、同時對應PCB面單面凹陷的三維立體金屬掩模版。

2.根據權利要求1所述的一種三維立體金屬掩模版，其特征在于，該金屬掩模板的成分為純鎳金屬或者鎳鐵合金。

3.根據權利要求1所述的一種三維立體金屬掩模版，其特征在于，所述的三維立體金屬掩模版的混合制備方法,由以下3個工藝步驟制備而成:

A、電鑄第一電鑄層：芯模處理→前處理→貼膜1a→曝光1→單面顯影1→電鑄1→貼膜1b→曝光2→剝離；

B、電鑄印刷面凸起：前處理→印刷面貼膜2→對位→曝光3→單面顯影2→電鑄2→剝離；

C、蝕刻PCB面凹形區域：前處理→印刷面貼膜3→單面顯影3→蝕刻→退膜。

4.根據權利要求3所述的一種三維立體金屬掩模版的混合制備方法，其特征在于，所述步驟A和步驟B中的前處理包括酸洗、噴砂。

5.根據權利要求3所述的一種三維立體金屬掩模版的制備方法，其特征在于，所述步驟A中的電鑄層具有圖形開口區域及對位孔，對位孔為通孔，且至少兩個對位孔。

6.根據權利要求3所述的一種三維立體金屬掩模版的混合制備方法，其特征在于，所述步驟B中對位是通過A中制作的通孔對位孔進行CCD對位，確定曝光坐標，且曝光3的曝光區域為除凸形區域以外的其他區域。

7.根據權利要求3所述的一種三維立體金屬掩模版的混合制備方法，其特征在于，在進行步驟A和步驟B的電鑄工藝之前具有活化工藝，來提高兩鍍層之間的結合力，防止鍍層脫落。

8.根據權利要求3所述的一種三維立體金屬掩模版的混合制備方法，其特征在于，所述步驟C中的蝕刻區域即為步驟A中PCB面貼膜1a后的曝光1b區域，形成PCB面凹形區域。

9.根據權利要求3所述的一種三維立體金屬掩模版的混合制備方法，其特征在于，曝光顯影的參數范圍如下：

芯模尺寸（mm）???????????800*600*1.8

曝光1能量（mj）?????????500-1500

曝光時間1（s）?????????????800-1800

顯影1時間（s）????????????80-170

曝光2能量（mj）?????????150-800

曝光時間2（s）?????????????100-500

顯影2時間（s）????????????200-700

曝光3能量（mj）?????????1000-2000

曝光時間3（s）?????????????1000-2500

顯影3時間（s）????????????100-200。

10.根據權利要求3所述的一種三維立體金屬掩模版的混合制備方法，其特征在于，電鑄的參數范圍如下：

電流密度（A/m²）???????2.0-3.0

電鑄時間1(min)????????100-300

電鑄時間2(min)????????500-1000

溫度（℃）??????????????40-55

pH?????????????????????3.5-5.0

活化時間1(min)?????????2-5

活化時間2(min)??????????5-10

電鑄溶液組成：???????

????氨基磺酸鎳（g/L）???50-80

?????????七水合氯化鎳（g/L）?10-20

氯化亞鐵（g/L）?????30-50?(電鑄鎳鐵合金時加入)

??????????硼酸（g/L）????????????????30-50

???????????光亮劑（ml/L）??????0.5-3

??????????穩定劑（ml/L）????????1-5

???????????潤濕劑（ml/L）??????0.5-3。

11.根據權利要求3所述的一種三維立體金屬掩模版的制備方法，其特征在于，步驟C中所述的蝕刻工藝參數范圍如下：

蝕刻液溫度（℃）?????????25-55

蝕刻液噴射壓力（psi）?????15-35

蝕刻時間（min）??????????????15-30。