[發明專利]蒸鍍掩模板及其制作方法

有效

• 申請號: 201210010709.0
• 申請日: 2012-01-16
• 公開（公告）號: CN103205687A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 魏志凌;高小平;鄭慶靚
• 申請（專利權）人: 昆山允升吉光電科技有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/24;H01L51/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種蒸鍍掩模板，包括：主圖形區域，具有滿足蒸鍍要求的開口，主圖形開口尺寸在30-180μm的范圍內；輔助圖形區域，用于提供拉力的施力點；其特征在于，掩模板還具有半刻線，半刻線一邊連接主圖形區域，一邊連接輔助圖形區域。

2.根據權利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述半刻線為四邊凹槽。

3.根據權利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述半刻線的刻蝕深度h是掩模板厚度H的40%-60%。

4.根據權利要求1、2或3所述的掩模板，其特征在于，所述半刻線的線徑≤2mm。

5.根據權利要求1、2或3所述的掩模板，其特征在于，該掩模板的材料為鎳鐵合金、純鎳或不銹鋼。

6.一種蒸鍍掩模板的制作方法，其特征在于，在已經制作好主圖形區域開口及輔助圖形開口的掩模板進行以下步驟：貼膜步驟，在掩模板的蝕刻面貼膜；曝光步驟；顯影步驟；蝕刻步驟；褪膜；其特征在于，曝光步驟是指在曝光機上通過CCD定位，在指定位置上曝黑除半刻線以外區域；顯影步驟是指過顯影機，洗去未曝光干膜，即半刻線區域干膜；蝕刻步驟是指在干膜保護非半刻線區域的情況下，控制蝕刻參數，刻蝕出四邊凹槽。

7.根據權利要求6所述的蒸鍍掩模板的制作方法，其特征在于，蝕刻參數具體如下：蝕刻壓力為20±1psi；蝕刻速度為10-60Hz；氯化鐵蝕刻液比重為1.00-1.50?g/cm³。