[發明專利]蒸鍍用掩模板的制備方法

無效

• 申請號: 201210010691.4
• 申請日: 2012-01-16
• 公開（公告）號: CN103205678A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 魏志凌;高小平;鄭慶靚
• 申請（專利權）人: 昆山允升吉光電科技有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/24
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種蒸鍍用掩模板的制備方法，采用雙面蝕刻工藝，包括如下幾個步驟：

a)?選取厚度為5～200μm金屬或合金薄板作為掩模板材料，掩模板材料的一個面為和半導體玻璃接觸的ITO面，另一個面作為蒸鍍面；

b)?從掩模板材料的ITO面蝕刻形成網格狀開口(1)；

c)?從掩模板的蒸鍍面刻蝕形成網格狀開口(2)，并使網格狀開口(2)?與網格狀開口(1)中心重合，且網格狀開口(2)中心對稱；且開口孔壁具有一定凹弧度，形成了30～50°蒸鍍錐角；

d)?通過對ITO面和蒸鍍面蝕刻時間的分開控制，得到所需要的網格狀開口(2)與網格狀開口(1)的開口深度；網格狀開口(1)深度為5～15μm，橫向尺寸為50～70μm，網格狀開口(1)的尺寸精度控制在±5μm；網格狀開口(2)深度為20～35μm，橫向尺寸為80～140μm；

e)?通過蝕刻，制得具有ITO面小尺寸網格狀開口(1)與蒸鍍面大尺寸網格狀開口(2)相貫通形成葫蘆狀溝槽通孔的掩模板；

其中，所述掩模板形狀為四邊形，所述掩模板上貫通ITO面和蒸鍍面的通孔形成網格狀，通孔在ITO面上的開口尺寸小于在蒸鍍面上的開口尺寸，ITO面和蒸鍍面的通孔開口均具有倒錐角。

2.根據權利要求1所述的蒸鍍用掩模板的制備方法，其特征在于網格狀開口(1)之間具有實橋；網格狀開口(2)之間具有實橋；所述ITO面和蒸鍍面上的通孔開口通過若干個實橋連接起來，通孔在掩模板上呈規則網格狀分布；所述掩模板為矩形，厚度為10～150μm。

3.根據權利要求1所述的蒸鍍用掩模板的制備方法，其特征在于ITO面的通孔開口倒錐角的角度小于蒸鍍面的通孔開口倒錐角的角度。

4.根據權利要求1所述的蒸鍍用掩模板的制備方法，其特征在于掩模板材料為不銹鋼、純鎳、鎳鈷合金、鎳鐵合金、因瓦合金中的任意一種金屬板。

5.根據權利要求1所述的蒸鍍用掩模板的制備方法，其特征在于掩模板厚度為20～100μm；將其在掩模板的厚度方向上垂直剖開，其剖面圖為葫蘆狀。

6.根據權利要求２所述的蒸鍍用掩模板的制備方法，其特征在于ITO面和蒸鍍面上的開口長尺寸邊的方向為縱向，開口小尺寸邊的方向為橫向；ITO面開口橫向尺寸小于蒸鍍面網格開口的橫向尺寸。

7.根據權利要求3所述的蒸鍍用掩模板的制備方法，其特征在于ITO面通孔開口橫向上的尺寸精度在±5μm；ITO面的倒錐角開口的垂直深度在5～25μm。

8.根據權利要求3所述的蒸鍍用掩模板的制備方法，其特征在于蒸鍍面大尺寸網格狀開口側壁為光滑錐壁，錐度在30～50°。

9.根據權利要求3所述的蒸鍍用掩模板的制備方法，其特征在于ITO面的倒錐角開口的垂直深度小于等于蒸鍍面錐角開口的垂直深度。

10.根據權利要求1所述的蒸鍍用掩模板的制備方法，其特征在于所述掩模板使用時，ITO面與蒸鍍基板ITO玻璃緊密貼緊，有機材料通過ITO面通孔開口（1）蒸鍍到ITO玻璃基板上。