[發(fā)明專利]電極制造裝置和電極制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210010354.5 | 申請日： | 2012-01-13 |
| 公開（公告）號： | CN102593420A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 福岡哲夫;寺田和雄;北野高廣 | 申請（專利權(quán)）人： | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號： | H01M4/139 | 分類號： | H01M4/139;H01G9/045 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電極 制造 裝置 方法 | ||
1.一種電極制造裝置，其在帶狀的基材的兩面形成活性物質(zhì)層而制造電極，該電極制造裝置的特征在于，包括：
放卷基材的放卷部；
卷取部，其卷取在上述放卷部被放卷的基材；
涂敷部，其設置在所述放卷部與所述卷取部之間，在基材的兩面涂敷混合有活性物質(zhì)和溶劑的活性物質(zhì)混合劑；和
干燥部，其設置在所述涂敷部與所述卷取部之間，使在所述涂敷部被涂敷的所述活性物質(zhì)混合劑干燥而形成活性物質(zhì)層，
所述干燥部具有在基板的長邊方向排列配置且發(fā)出紅外線的多個LED，
所述干燥部被分割為發(fā)光強度達到最大的LED的發(fā)光波長不同的多個區(qū)域，
一個所述區(qū)域中的所述LED的發(fā)光波長，是對于在該一個區(qū)域中的基材上的所述溶劑的膜厚，所述活性物質(zhì)混合劑不沸騰的范圍的紅外線的波長，該發(fā)光波長被設定為所述溶劑的紅外線的吸收率達到最大的波長。
2.如權(quán)利要求1所述的電極制造裝置，其特征在于：
所述溶劑為水。
3.如權(quán)利要求2所述的電極制造裝置，其特征在于：
所述干燥部，自所述放卷部側(cè)起被分割為上游區(qū)域、中游區(qū)域和下游區(qū)域的3個區(qū)域，
配置在所述上游區(qū)域的LED的發(fā)光波長是6μm，
配置在所述下游區(qū)域的LED的發(fā)光波長是3μm，
在所述中游區(qū)域配置有大于3μm小于6μm的發(fā)光波長的LED。
4.如權(quán)利要求2所述的電極制造裝置，其特征在于：
所述干燥部，自所述放卷部側(cè)起被分割為上游區(qū)域、中游區(qū)域和下游區(qū)域的3個區(qū)域，
配置于所述上游區(qū)域的LED的發(fā)光波長是6μm，
配置于所述下游區(qū)域的LED的發(fā)光波長是3μm，
在所述中游區(qū)域，混合地配置有所述上游區(qū)域的LED和所述下游區(qū)域的LED。
5.如權(quán)利要求1～4中的任意一項所述的電極制造裝置，其特征在于：
所述干燥部具有向所述多個LED與基材之間供給空氣的供氣機構(gòu)。
6.如權(quán)利要求1～4中的任意一項所述的電極制造裝置，其特征在于：
所述放卷部和所述卷取部配置為：以基材的長邊方向為水平方向且基材的短邊方向為鉛直方向的朝向搬送基材。
7.如權(quán)利要求1～4中的任意一項所述的電極制造裝置，其特征在于：
所述電極是在鋰離子電容器、電偶極子層電容器或者鋰離子電池中使用的電極。
8.一種電極制造方法，其是一邊在放卷部與卷取部之間搬送帶狀的基材，一邊在該基材的兩面形成活性物質(zhì)層而制造電極的電極制造方法，其特征在于，包括：
涂敷工序，在涂敷部將混合有活性物質(zhì)和溶劑的活性物質(zhì)混合劑涂敷在基材的兩面；和
此后的干燥工序，在干燥部，使在所述涂敷工序涂敷的所述活性物質(zhì)混合劑干燥而形成活性物質(zhì)層，
所述干燥部具有在基板的長邊方向排列配置且發(fā)出紅外線的多個LED，
所述干燥部被分割為發(fā)光強度達到最大的LED的發(fā)光波長不同的多個區(qū)域，
一個所述區(qū)域中的所述LED的發(fā)光波長，是對于在該一個區(qū)域中的基材上的所述溶劑的膜厚，所述活性物質(zhì)混合劑不沸騰的范圍的紅外線的波長，該發(fā)光波長被設定為所述溶劑的紅外線的吸收率達到最大的波長。
9.如權(quán)利要求8所述的電極制造方法，其特征在于：
所述溶劑為水。
10.如權(quán)利要求9所述的電極制造方法，其特征在于：
所述干燥部，自所述放卷部側(cè)起被分割為上游區(qū)域、中游區(qū)域和下游區(qū)域的3個區(qū)域，
配置在所述上游區(qū)域的LED的發(fā)光波長是6μm，
配置在所述下游區(qū)域的LED的發(fā)光波長是3μm，
在所述中游區(qū)域配置有大于3μm小于6μm的發(fā)光波長的LED。
11.如權(quán)利要求9所述的電極制造方法，其特征在于：
所述干燥部，自所述放卷部側(cè)起被分割為上游區(qū)域、中游區(qū)域和下游區(qū)域的3個區(qū)域，
配置于所述上游區(qū)域的LED的發(fā)光波長是6μm，
配置于所述下游區(qū)域的LED的發(fā)光波長是3μm，
在所述中游區(qū)域，混合地配置有所述上游區(qū)域的LED和所述下游區(qū)域的LED。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東京毅力科創(chuàng)株式會社，未經(jīng)東京毅力科創(chuàng)株式會社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210010354.5/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
