[發明專利]一種半導體器件的金屬層結構、制造方法及其應用其的一種半導體器件

有效

• 申請號: 201210009879.7
• 申請日: 2012-01-13
• 公開（公告）號: CN102543717A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 游步東
• 申請（專利權）人: 杭州矽力杰半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205;H01L21/60;H01L23/485
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體器件的金屬層結構制造方法，其特征在于，包括：

在晶片上沉積第一導電層，所述第一導電層包括一組分離的第一導電子層，所述第一導電子層具有n種不同的電極性，n≥2；

在所述第一導電層上沉積第一隔離層，所述第一隔離層具有一組第一通孔，以選擇性的將所述第一導電子層的部分上表面裸露；

在所述第一隔離層上沉積第二導電層，所述第二導電層包括一組分離的第二導電子層，所述第二導電子層通過所述第一通孔與極性相同的所述第一導電子層的裸露的上表面連接；

在所述第二導電層和所述第一隔離層上沉積第二隔離層，所述第二隔離層具有一組第二通孔，以選擇性的將所述第二導電子層的部分上表面裸露，所述第二通孔在多個所述第一通孔的正上方；

在所述第二通孔處沉積一凸塊，以形成凸塊層，從而將所述n種不同的電極性引出。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的金屬層結構制造方法，其特征在于，所述第二通孔在多個不同電極性的所述第一導電子層的正上方。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的金屬層結構制造方法，其特征在于，所述第一導電層為由濺射工藝形成的厚鋁金屬層。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的金屬層結構制造方法，其特征在于，所述第一導電層和所述晶片之間包括一層或者多層與所述第一導電層不同的金屬層。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的金屬層結構制造方法，其特征在于，所述第一隔離層包括半導體器件的鈍化保護層。

6.根據權利要求5所述的半導體器件的金屬層結構制造方法，其特征在于，所述第一隔離層還包括位于所述鈍化保護層之上的聚酰亞胺層。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的金屬層結構制造方法，其特征在于，所述第二導電層為由電鍍工藝形成的銅導電層。

8.根據權利要求1所述的半導體器件的金屬層結構制造方法，其特征在于，所述凸塊為錫凸塊或者銅柱凸塊或者金凸塊。

9.一種半導體器件的金屬層結構，其特征在于，包括：

位于晶片之上的第一導電層，所述第一導電層包括一組分離的第一導電子層，所述一組第一導電子層具有n種不同的電極性，n≥2；

在所述第一導電層上的第一隔離層，所述第一隔離層具有一組第一通孔，以選擇性的將所述第一導電子層的部分上表面裸露；

在所述第一隔離層上的第二導電層，所述第二導電層包括一組分離的第二導電子層，所述第二導電子層通過所述第一通孔與極性相同的所述第一導電子層的裸露的上表面連接；

在所述第二導電層和所述第一隔離層上的第二隔離層，所述第二隔離層具有一組第二通孔，以選擇性的將所述第二導電子層的部分上表面裸露，所述第二通孔在多個所述第一通孔的正上方；

位于所述第二通孔處的凸塊層，以將所述n種不同的電極性引出。

10.根據權利要求9所述的半導體器件的金屬層結構，其特征在于，所述第二通孔在多個不同電極性的所述第一導電子層的正上方。

11.根據權利要求9所述的半導體器件的金屬層結構，其特征在于，所述第一導電層為由濺射工藝形成的厚鋁金屬層。

12.根據權利要求9所述的半導體器件的金屬層結構，其特征在于，還包括位于所述第一導電層和所述晶片之間的一層或者多層與所述第一導電層不同的金屬層。

13.根據權利要求9所述的半導體器件的金屬層結構，其特征在于，所述第一隔離層包括半導體器件的鈍化保護層。

14.根據權利要求13所述的半導體器件的金屬層結構，其特征在于，所述第一隔離層還包括位于所述鈍化保護層之上的聚酰亞胺層。

15.根據權利要求9所述的半導體器件的金屬層結構，其特征在于，所述第二導電層包括由電鍍工藝形成的一銅金屬層。

16.根據權利要求9所述的半導體器件的金屬層結構，其特征在于，所述凸塊為錫凸塊或者銅柱凸塊或者金凸塊。

17.一種半導體器件，其特征在于，包括權利要求9-16所述的任一金屬層結構，以將所述半導體器件的不同電極通過所述凸塊層向外引出。

18.根據權利要求17所述的半導體器件，其特征在于，相鄰的第二導電子層的邊緣呈彎折形狀以形成突出區域，所述突出區域通過所述第一通孔連接至相應的第一導電子層的突出區域。