[發明專利]存儲裝置和其操作方法

無效

• 申請號: 201210009739.X
• 申請日: 2012-01-13
• 公開（公告）號: CN102592656A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 大塚涉
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: G11C7/12
• 分類號: G11C7/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 郭定輝

1.一種存儲裝置，包括：

多個存儲單元，其分別具有電阻狀態根據施加電壓的極性而可翻轉改變的存儲元件和用于選擇作為驅動目標的存儲元件的晶體管；

多條字線和多條第一與第二位線，其連接至所述多個存儲單元；以及

驅動部分，其通過將給定電位施加至字線和第一與第二位線，在低電阻狀態和高電阻狀態之間選擇性地改變作為驅動目標的存儲元件的電阻狀態，

其中，在針對位于一條字線上的第一存儲元件進行將電阻狀態從高電阻狀態改變到低電阻狀態的置位操作時并且在針對位于所述一條字線上的第二存儲元件進行將電阻狀態從低電阻狀態改變到高電阻狀態的復位操作時，驅動部分將給定字線電位施加至所述一條字線，并且將對應于第一存儲元件的第一與第二位線之中的低電位側的位線的電位設定到比對應于第二存儲元件的低電位側的位線的電位的值高給定電位差的量的值。

2.如權利要求1所述的存儲裝置，其中，驅動部分在對應于第一存儲元件的第一與第二位線之間施加用于進行置位操作的給定置位電壓，并且在對應于第二存儲元件的第一與第二位線之間施加用于進行復位操作的給定復位電壓。

3.如權利要求1所述的存儲裝置，其中，所述給定電位差是通過從進行存儲元件的復位操作時設定的復位電位中減去進行存儲元件的置位操作時設定的置位電位而獲得的電位差。

4.如權利要求3所述的存儲裝置，其中，所述給定字線電位為所述復位電位。

5.如權利要求1所述的存儲裝置，其中，在存儲單元中，字線連接至所述晶體管的柵極，

第一位線連接至晶體管中的源極和漏極之一，并且

第二位線與晶體管中的源極和漏極的另一個通過其間的存儲元件連接。

6.如權利要求1所述的存儲裝置，其中，存儲元件依次具有第一電極、存儲層和第二電極，并且

在存儲層中，電阻狀態根據施加在第一電極和第二電極之間的電壓的極性而可翻轉地改變。

7.如權利要求6所述的存儲裝置，其中，存儲層具有在第一電極側提供的電阻改變層和在第二電極側提供的離子源層。

8.如權利要求7所述的存儲裝置，其中，在存儲元件中，當負電位施加至第一電極側并且正電位施加至第二電極側時，離子源層中的離子移動至第一電極側并且電阻改變層的電阻減小，從而進行置位操作，以及

當正電位施加至第一電極側并且負電位施加至第二電極側時，離子源層中的離子移動至第二電極側并且電阻改變層的電位增大，從而進行復位操作。

9.一種操作存儲裝置的方法，其中，存儲裝置包括：多個存儲單元，其分別具有電阻狀態根據施加電壓的極性而可翻轉改變的存儲元件和用于選擇作為驅動目標的存儲元件的晶體管；多條字線和多條第一與第二位線，其連接至所述多個存儲單元，

在操作所述存儲裝置時，將給定的字線電位施加至一條字線，

同時將位于一條字線上的第一存儲元件所對應的第一與第二位線之中的低電位側的位線的電位設定到比位于所述一條字線上的第二存儲元件所對應的低電位側的位線的電位的值高給定電位差的值，在第一與第二位線之間施加給定電壓，從而

針對第一存儲元件進行將電阻狀態從高電阻狀態改變到低電阻狀態的置位操作，并且針對第二存儲元件進行將電阻狀態從低電阻狀態改變到高電阻狀態的復位操作。

10.一種存儲裝置，包含：

多個存儲單元，其分別具有電阻狀態根據施加電壓的極性而可翻轉改變的存儲元件和用于選擇作為驅動目標的存儲元件的晶體管；

多個電阻元件，其指示固定電阻值；

多條字線和多條第一與第二位線，其連接至所述多個存儲單元；以及

驅動部分，其通過將給定電位施加給字線和第一與第二位線，在低電阻狀態和高電阻狀態之間選擇性地改變作為驅動目標的存儲元件的電阻狀態，

其中，在存儲單元中，字線連接至所述晶體管的柵極，

第一位線與晶體管中的源極和漏極之一通過其間的電阻元件連接，并且

第二位線與晶體管中的源極和漏極的另一個通過其間的存儲元件連接。

11.如權利要求10所述的存儲裝置，其中，所述電阻元件的電阻值近似等于存儲元件的低電阻狀態下的電阻值。