[發(fā)明專(zhuān)利]自清潔防霧元件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210009642.9
• 申請(qǐng)日: 2012-01-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102582137A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭射宇;李洪美
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 蘇州羿日新能源有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): B32B3/24
• 分類(lèi)號(hào): B32B3/24;B32B17/06;B32B9/04;B32B33/00;C03C17/34;C23C14/34;C23C14/08;C23C14/10
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1.一種自清潔防霧元件，它包含

透光的基底材料；

透光的阻擋膜，形成在所述基底材料的一側(cè)表面上；

光催化底膜，形成在所述阻擋膜上，其特征在于：所述光催化底膜具有多孔結(jié)構(gòu)，且所述光催化底膜的孔體積對(duì)膜總體積比為5～25％；所述光催化底膜上還形成有光催化硬膜，所述的光催化硬膜也具有多孔結(jié)構(gòu)，且光催化硬膜的孔體積對(duì)膜總體積比小于5％。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自清潔防霧元件，其特征在于：所述的基底材料為玻璃。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自清潔防霧元件，其特征在于：所述的光催化底膜的硬度小于等于4H，所述的光催化硬膜的硬度大于等于6H。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自清潔防霧元件，其特征在于：所述的光催化底膜為T(mén)iO₂或ZnO或SnO₂薄膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的自清潔防霧元件，其特征在于：所述的光催化底膜為T(mén)iO₂薄膜，所述的光催化底膜中摻雜有Cu、Nb、Co、N元素中的一種；或者，所述的光催化底膜為ZnO薄膜，所述的光催化底膜中摻雜有Al、B、In、Ga元素中的一種；或者，所述的光催化底膜為SnO₂薄膜，所述的光催化底膜中摻雜有F、Sb元素中的一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自清潔防霧元件，其特征在于：所述的光催化硬膜為T(mén)iO₂或ZnO或SnO₂薄膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的自清潔防霧元件，其特征在于：所述的光催化硬膜為T(mén)iO₂薄膜，所述的光催化硬膜中摻雜有Cu、Nb、Co、N元素中的一種；或者，所述的光催化硬膜為ZnO薄膜，所述的光催化硬膜中摻雜有Al、B、In、Ga元素中的一種；或者，所述的光催化硬膜為SnO₂薄膜，所述的光催化硬膜中摻雜有F、Sb元素中的一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求5、7中任意一項(xiàng)所述的自清潔防霧元件，其特征在于：所述的摻雜元素對(duì)所述的光催化底膜或所述光催化硬膜中的Ti或Zn或Sn的原子比小于5％。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自清潔防霧元件，其特征在于：所述的光催化底膜的厚度為10～50nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自清潔防霧元件，其特征在于：所述的光催化硬膜的厚度為50～200nm。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自清潔防霧元件，其特征在于：所述的基底材料為塑料薄膜。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的自清潔防霧元件，其特征在于：所述的基底材料為PET薄膜或PMMA或PC材料。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的自清潔防霧元件，其特征在于：所述的基底材料上與所述阻擋膜相對(duì)的另一側(cè)表面上設(shè)有粘結(jié)層。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的自清潔防霧元件，其特征在于：所述的光催化底膜的硬度小于等于2H，所述的光催化硬膜的硬度大于等于3H。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自清潔防霧元件，其特征在于：所述光催化底膜與/或光催化硬膜通過(guò)中氣壓氣流濺射方法沉積。

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自清潔防霧元件，其特征在于：它包含多層所述的光催化底膜和光催化硬膜，多層所述的光催化底膜和光催化硬膜交替排布。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自清潔防霧元件，其特征在于：所述的光催化硬膜上還形成有具有多孔結(jié)構(gòu)且呈親水性的透明親水膜，所述親水膜為多孔SiO₂膜。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的自清潔防霧元件，其特征在于：所述的親水膜的厚度為10～50nm。

19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自清潔防霧元件，其特征在于：所述的阻擋膜為SiO₂或Cr₂O₃，或Si₃N₄或Al₂O₃薄膜。

20.一種如權(quán)利要求1～19中任意一項(xiàng)所述的自清潔防霧元件的制造方法，其特征在于：它包含下述步驟

A、首先，用中氣壓氣流濺射方法，在基底材料上沉積一層阻擋膜，反應(yīng)放電氣壓為10～40Pa，功率密度為5W/cm²；

B、然后，在所述阻擋膜上鍍光催化底膜，反應(yīng)中控制Ar/O₂流量比為100～400∶1，鍍膜厚度為10～50nm；

C、在所述光催化底膜上再鍍一層光催化硬膜，反應(yīng)中控制Ar/O₂流量比600～1000∶1，鍍膜厚度為50～200nm。