[發明專利]用于超導電磁體系統的電傳導屏蔽

有效

• 申請號: 201210009487.0
• 申請日: 2012-01-13
• 公開（公告）號: CN102590772A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: M.布盧門薩爾;M.J.M.克勒伊普
• 申請（專利權）人: 英國西門子公司
• 主分類號: G01R33/385
• 分類號: G01R33/385;G01R33/381
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐紅燕;盧江

1.一種超導電磁體系統，包括：

-?低溫冷卻磁體線圈（10），布置為在成像區域中提供靜態磁場；

-?梯度線圈組件（32），布置為在所述成像區域內提供振蕩磁場；以及

-?電傳導屏蔽（34），其被定位在所述低溫冷卻磁體線圈和所述梯度線圈組件之間，

其中所述低溫冷卻磁體線圈位于外部真空室(OVC)（20）內，并且所述電傳導屏蔽被定位在所述OVC外部，在所述OVC的表面和所述梯度線圈組件之間，

其特征在于

所述傳導屏蔽被支撐在所述傳導屏蔽和所述梯度線圈組件（32）之間；以及在所述傳導屏蔽和所述OVC的孔管（20）之間的彈性阻尼底座（36）上。

2.根據權利要求1所述的系統，其中所述彈性阻尼底座包括定位在所述電傳導屏蔽的表面和系統的相鄰部件的表面之間的彈性體塊。

3.根據任一前述權利要求所述的系統，進一步包括定位在所述低溫冷卻磁體線圈和所述OVC之間的第一熱輻射屏蔽（22；24）。

4.根據權利要求3所述的系統，其中所述第一熱輻射屏蔽（22）與所述低溫冷卻磁體線圈熱傳導接觸。

5.根據權利要求4所述的系統，其中提供第二熱輻射屏蔽（24），其被定位在所述第一熱輻射屏蔽和所述OVC之間。

6.一種超導電磁體系統，包括：

-?低溫冷卻磁體線圈（10），布置為在成像區域中提供靜態磁場；

-?梯度線圈組件（32），布置為在所述成像區域內提供振蕩磁場；以及

-?電傳導屏蔽（34），其被定位在所述低溫冷卻磁體線圈和所述梯度線圈組件之間，

其中所述低溫冷卻磁體線圈位于外部真空室(OVC)內，并且所述電傳導屏蔽被定位在所述OVC內部，在所述OVC的表面和所述低溫冷卻磁體線圈之間，

其特征在于

所述傳導屏蔽被支撐在所述傳導屏蔽和所述OVC孔管（20）之間的彈性阻尼底座（36）上。

7.根據權利要求6所述的系統，其中所述彈性阻尼底座包括定位在所述電傳導屏蔽的表面和系統的相鄰部件的表面之間的彈性體塊。

8.根據權利要求6或7所述的系統，進一步包括定位在所述低溫冷卻磁體線圈和所述電傳導屏蔽之間的第一熱輻射屏蔽（22；24）。

9.根據權利要求8所述的系統，其中所述第一熱輻射屏蔽（22）與所述低溫冷卻磁體線圈熱傳導接觸。

10.根據權利要求8所述的系統，其中提供第二熱輻射屏蔽（24），其被定位在所述第一熱輻射屏蔽和所述電傳導屏蔽之間。

11.根據任一前述權利要求所述的系統，其中每個所述低溫冷卻磁體線圈是環形的，并且被軸向對準；并且所述梯度線圈組件和所述電傳導屏蔽是圓柱形的，并且二者位于所述低溫冷卻磁體線圈的孔內。

12.根據任一前述權利要求所述的系統，其中所述低溫冷卻磁體線圈通過到低溫致冷器的熱傳導進行冷卻。

13.根據權利要求1至11中任一項所述的系統，其中所述低溫冷卻磁體線圈通過閉環冷卻系統進行冷卻，其中致冷劑（16）通過與磁體線圈熱接觸的管道（12）進行循環。

14.根據權利要求1至11中任一項所述的系統，其中所述低溫冷卻磁體線圈通過部分沉浸在致冷劑浴中進行冷卻。

15.根據任一前述權利要求所述的系統，其中所述電傳導屏蔽由銅形成。

16.根據權利要求1至5中任一項所述的系統，其中所述電傳導屏蔽和所述OVC之間的間隙由一種或多種彈性密封進行密封。

17.根據權利要求1至5中任一項所述的系統，其中所述電傳導屏蔽和所述梯度線圈組件之間的間隙由一種或多種彈性密封進行密封。

18.根據權利要求16或17所述的系統，其中抽空一個或多個密封的間隙。

19.根據權利要求16或17所述的系統，其中一個或多個密封的間隙填充有彈性材料。

20.根據權利要求16至18中任一項所述的系統，其中所述密封包括氣動或液壓氣動密封。

21.根據權利要求16至18中任一項所述的系統，其中所述密封包括O形環密封。