[發明專利]一種提取互連線方塊電阻的方法和裝置有效
| 申請號: | 201210009449.5 | 申請日: | 2012-01-12 |
| 公開(公告)號: | CN102522354A | 公開(公告)日: | 2012-06-27 |
| 發明(設計)人: | 馬天宇;陳嵐;楊飛 | 申請(專利權)人: | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯長明;李玉秋 |
| 地址: | 100029 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提取 互連 方塊 電阻 方法 裝置 | ||
1.一種提取互連線方塊電阻的方法,其特征在于,包括步驟:
設計并制造測試版圖,所述測試版圖包括若干個區域,所述若干個區域中每個區域的互連線線寬和/或線間距不同;
測量所述測試版圖每個區域的表面形貌信息和電阻;
根據所述表面形貌信息提取所述測試版圖每個區域的等效厚度;
根據所述電阻值和等效厚度提取所述測試版圖每個區域的等效電阻率;
提取待提取版圖不同區域的互連線厚度,所述待提取版圖與測試版圖采用相同工藝制造,所述待提取版圖不同區域的互連線線寬和/或線間距不同;
根據所述待提取版圖不同區域的互連線厚度與測試版圖相應區域的等效電阻率提取所述待提取版圖不同區域的互連線方塊電阻。
2.根據權利要求1所述的提取互連線方塊電阻的方法,其特征在于,測量所述測試版圖每個區域的表面形貌信息為測量所述每個區域中互連線的金屬碟形量、介質侵蝕量和金屬厚度。
3.根據權利要求2所述的提取互連線方塊電阻的方法,其特征在于,根據所述表面形貌信息提取所述測試版圖每個區域的等效厚度具體為:
測試版圖每個區域的互連線沉積厚度減去所述金屬碟形量和介質侵蝕量。
4.根據權利要求3所述的提取互連線方塊電阻的方法,其特征在于,根據所述電阻值和等效厚度提取所述測試版圖每個區域的等效電阻率具體為:
測試版圖每個區域的電阻乘以等效厚度除以每個區域的長寬比。
5.根據權利要求1所述的提取互連線方塊電阻的方法,其特征在于,根據所述待提取版圖不同區域的互連線厚度與測試版圖相應區域的等效電阻率提取所述待提取版圖不同區域的互連線方塊電阻具體為:
確定與所述待提取版圖不同區域的互連線線寬和線間距相等或相近的測試版圖上的區域;
所述互連線線寬和線間距相等或相近的測試版圖上的區域的等效電阻率除以所述待提取版圖不同區域的互連線厚度。
6.根據權利要求1或2所述的提取互連線方塊電阻的方法,其特征在于,采用原子力顯微鏡或掃描電子顯微鏡測量所述測試版圖每個區域的表面形貌信息。
7.根據權利要求1或2所述的提取互連線方塊電阻的方法,其特征在于,采用四點法測量所述測試版圖每個區域的電阻信息。
8.一種提取互連線方塊電阻的裝置,其特征在于,包括:
版圖提供模塊,所述版圖提供單元包括測試版圖提供單元和待提取版圖提供單元;所述測試版圖提供單元提供包括若干個區域的版圖,所述若干個區域的互連線線線寬和/或線間距不同;
測量模塊,所述測量模塊包括形貌測量單元和電阻測量單元,用于對測試版圖提供單元提供的測試版圖中的若干個區域進行形貌測量和電阻測量;
參數提取模塊,所述參數提取模塊包括等效厚度提取單元、等效電阻率提取單元和互連線厚度提取單元,其中,所述等效厚度提取單元用于根據所述形貌測量單元提供的表面形貌測量結果提取測試版圖中每個區域的等效厚度;所述等效電阻率提取單元用于根據所述電阻測量單元的測量結果和等效厚度提取單元提取的等效厚度提取測試版圖中每個區域的等效電阻率;所述互連線厚度提取單元用于提取待提取版圖中不同區域的互連線厚度;
方塊電阻提取模塊,所述方塊電阻提取模塊用于根據所述等效電阻率提取單元提取的測試版圖中每個區域的等效電阻率和互連線厚度提取單元提取的待提取版圖中不同區域的厚度提取待提取版圖中不同區域的方塊電阻。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





