[發(fā)明專利]一種真空解理大功率半導體激光器腔面氮鈍化方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210009274.8
• 申請日: 2012-01-12
• 公開（公告）號: CN102570294A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發(fā)明（設計）人: 崔碧峰;陳京湘;計偉;郭偉玲
• 申請（專利權）人: 北京工業(yè)大學
• 主分類號: H01S5/028
• 分類號: H01S5/028
• 代理公司: 北京思海天達知識產(chǎn)權代理有限公司 11203
• 代理人: 劉萍

1.一種真空解理大功率半導體激光器腔面氮鈍化方法，其特征在于，包含以下步驟：

(1)半導體激光器放在帶有離子源真空解理機中解理臺上，從離子源通入氮氣，通入流量20至40sccm，離子源能量60至100ev，在解理室里形成N⁺離子，在純氮的環(huán)境下進行解理時，解理后半導體激光器新鮮腔面懸掛鍵在N⁺離子作用下減少，把解理出的半導體激光器Bar條裝入鍍膜專用夾具，然后迅速放入電子束蒸發(fā)真空鍍膜機行星式轉盤上；

(2)氮離子深度鈍化，把真空鍍膜機用冷泵抽至高真空，開通氮氣源，通入流量40至60sccm，用100ev到200ev范圍氮離子束轟擊半導體激光器腔面，鈍化溫度100至250℃，鈍化時間不小于10min，在除去腔面的氧化物和腔面吸附的雜質(zhì)同時，減小表面態(tài)缺陷，形成GaN鈍化層；

(3)氫離子去雜，關閉鍍膜機氮氣源，通入氫氣源，通入流量20至50sccm，用80至100ev范圍H⁺離子束轟擊半導體激光器腔面，轟擊時間不少于6min，基體加熱溫度200℃以上，去除步驟(2)反應后殘留在腔面上無用As單質(zhì)；

(4)用電子束蒸發(fā)離子輔助沉積方法，在GaN鈍化層進行光學厚度為半導體激光器激射中心波長四分之一增透膜鍍制；

(5)專用夾具翻面后，用電子束蒸發(fā)離子輔助沉積方法，在另一面GaN鈍化層進行低折射率介質(zhì)膜和高折射率介質(zhì)膜交替生長高反膜鍍制，低折射率膜和高折射率介質(zhì)膜的光學厚度均為半導體激光器激射中心波長四分之一。