[發明專利]利用激光摻雜加刻蝕制備選擇性發射結太陽電池的方法

無效

• 申請號: 201210009252.1
• 申請日: 2012-01-12
• 公開（公告）號: CN102544215A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 聞震利;王文靜
• 申請（專利權）人: 中國科學院電工研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京科迪生專利代理有限責任公司 11251
• 代理人: 關玲

1.一種利用激光摻雜加刻蝕制備選擇性發射結太陽電池的方法，其特征在于，所述的制備方法的步驟如下：

步驟1，用硝酸、氫氟酸和水制成混合化學腐蝕溶液，其中硝酸的質量濃度為30％，氫氟酸的質量濃度為8％；使用所述的混合化學腐蝕溶液對P型多晶硅片制絨，并去除所述的多晶硅片表面損傷層；

步驟2，將步驟1制得的硅片置于溫度為820-828℃的管式擴散爐中，用三氯氧磷POCl₃液態源對所述硅片進行擴散，形成N型深發射結N⁺⁺，同時在硅片表面形成磷硅玻璃薄層；

步驟3，用波長為532nm的激光輻照對步驟2制得的硅片進行燒蝕，在所述硅片的輻射區實現磷的重摻雜而形成N型超級深發射結N⁺⁺⁺，也即形成初步的選擇性發射結；

步驟4，將質量濃度為1％的氫氟酸HF和質量濃度為65％的硝酸HNO₃按照1∶4的體積比配成刻蝕溶液，對步驟3制得的硅片的發射結進行刻蝕，同時去除硅片表面的磷硅玻璃；

步驟5，用硝酸、氫氟酸和水制成混合化學腐蝕溶液，其中硝酸的質量濃度為30％，氫氟酸的質量濃度為8％。用此化學腐蝕液進行刻邊；

步驟6，在溫度為400℃～500℃的等離子增強化學氣相淀積PECVD系統中，對所述的硅片進行鍍氮化硅減反射膜處理，處理時間為700秒～800秒；

步驟7，采用絲網印刷工藝，在所述的硅片正面形成柵線電極，在所述的硅片背面形成鋁背場；

步驟8，在溫度為25～900℃的快速燒結爐中對所述的硅片進行燒結及金屬化處理，時間為2分鐘；

至此完成本發明太陽電池制備。

2.根據權利要求1所述的利用激光摻雜加刻蝕制備選擇性發射結太陽電池的方法，其特征在于，所述的步驟8中，對所述的硅片進行燒結及金屬化處理的優選溫度為大于720℃至860℃，持續時間為4秒。

3.根據權利要求1所述的利用激光摻雜加刻蝕制備選擇性發射結太陽電池的方法，其特征在于，所述的制備方法的步驟1中，用質量濃度為5％的氫氧化鉀溶液對P型單晶硅片制絨，同時去除硅片表面損傷層。

4.根據權利要求1所述的利用激光摻雜加刻蝕制備選擇性發射結太陽電池的方法，其特征在于，在所述的步驟4的腐蝕過程中遮光。

5.根據權利要求1所述的利用激光摻雜加刻蝕制備選擇性發射結太陽電池的方法，其特征在于，所述的步驟4和所述的步驟5的順序互換。