[發明專利]一種斷路器熱記憶電路及其充電調節方法

有效

• 申請號: 201210009077.6
• 申請日: 2012-01-12
• 公開（公告）號: CN102570801A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 張佳;楊興勇;徐首旗;徐澤亮
• 申請（專利權）人: 上海諾雅克電氣有限公司
• 主分類號: H02M3/07
• 分類號: H02M3/07
• 代理公司: 北京卓言知識產權代理事務所(普通合伙) 11365
• 代理人: 龔清媛;趙國虹

1.一種根據電流獨立調節充電的斷路器熱記憶電路，其特征在于包括：

電流采樣電路、微處理器、充放電電路、電壓采樣電路、PWM比較發生電路；

所述電流采樣電路與PWM比較發生電路的輸入相連接，將回路電流的電流采樣信號提供給PWM比較發生電路；

所述微處理器與PWM比較發生電路連接，將參考電壓提供給PWM比較發生電路；

所述PWM比較發生電路的輸出與充放電電路連接，用以驅動充放電電路是否充電；

所述電壓采樣電路的輸入與充放電電路連接，所述電壓采樣電路的輸出與微處理器連接，將充放電電路的電壓信息反饋給微處理器。

2.如權利要求1所述的斷路器熱記憶電路，其特征在于：所述PWM比較發生電路包括第一電阻、第二電阻和第一運算放大器；

第一電阻一端連接電流采樣電路的輸出，另一端連接第一運算放大器的正向輸入端；

第二電阻一端連接微處理器的DA腳，另一端連接第一運算放大器的反向輸入端，微處理器的DA腳輸出的參考電壓經第二電阻提供給所述PWM比較發生電路。

3.如權利要求1所述的斷路器熱記憶電路，其特征在于：所述充放電電路包括第三電阻、第四電阻、第五電阻、開關單元、二極管、儲能電容；

第三電阻一端連接所述PWM比較發生電路的輸出端，另一端連接開關單元，當電流過載時，所述PWM比較發生電路通過第三電阻驅動開關單元導通；

充電電壓VCC在開關單元導通后，經第四電阻和二極管對儲能電容充電；

所述電壓采樣電路的輸入與儲能電容的正極連接；

儲能電容充電，直到斷路器累積能量達設定值觸發跳閘后，與儲能電容并聯的第五電阻進行放電。

4.如權利要求3所述的斷路器熱記憶電路，其特征在于：開關單元采用場效應管MOSFET；

第三電阻的另一端連接MOSFET的門極；

第四電阻一端連接VCC，另一端連接MOSFET的漏極；

二極管陽極連接MOSFET的源極，二極管陰極連接儲能電容的正極；

第五電阻一端連接儲能電容的正極，另一端連接儲能電容的負極并接地。

5.如權利要求1所述的斷路器熱記憶電路，其特征在于：所述電壓采樣電路包括第六電阻、第七電阻、第二運算放大器；

第六電阻的一端與所述充放電電路連接，另一端與第二運算放大器的正向輸入端連接；

第七電阻的一端與第二運算放大器的輸出端連接，另一端與微處理器的AD連接。

6.如權利要求1所述的斷路器熱記憶電路，其特征在于：所述PWM比較發生電路包括第一電阻、第二電阻、比較器和上拉電阻；

第一電阻一端連接電流采樣電路的輸出，另一端連接比較器輸入端；

第二電阻一端連接微處理器的DA腳，另一端連接比較器另一輸入端，微處理器的DA腳輸出的參考電壓經第二電阻提供給所述PWM比較發生電路；

比較器輸出端連接上拉電阻。

7.如權利要求3或4所述的斷路器熱記憶電路，其特征在于：第四電阻是充電時的限流電阻。

8.權利要求1至6所述的根據電流獨立調節充電的斷路器熱記憶電路的充電調節方法，包括：

所述PWM比較發生電路基于回路電流的采用信號及參考電壓驅動充放電電路充電，當回路電流超過設定閾值時，PWM比較發生電路驅動充放電電路充電，當回路電流沒有超過設定閾值時，PWM比較發生電路不會驅動充放電電路充電。

9.如權利要求8所述的充電調節方法，還包括：

當回路電流超過設定閾值時，所述PWM比較發生電路產生的驅動信號的占空比由回路電流的大小決定，當回路電流越大時，驅動信號的占空比越大，充放電電路充電越快。

10.如權利要求8所述的充電調節方法，還包括：

所述電壓采樣電路將電壓信息反饋給微處理器，在重復上電時提供能量剩余等效值給微處理器處理，作為此次能量累積的基數。