[發(fā)明專利]能實(shí)現(xiàn)弧形運(yùn)動(dòng)的差動(dòng)式磁控形狀記憶合金裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210009070.4
• 申請(qǐng)日: 2012-01-12
• 公開（公告）號(hào): CN102536712A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程艷;孫樹敏;慕世友;毛慶波;趙鵬;婁杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 山東電力研究院
• 主分類號(hào): F03G7/06
• 分類號(hào): F03G7/06
• 代理公司: 濟(jì)南圣達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221
• 代理人: 王吉勇

1.能實(shí)現(xiàn)弧形運(yùn)動(dòng)的差動(dòng)式磁控形狀記憶合金裝置，其特征是，包括鐵芯A?I，鐵芯B?I，鐵芯C，鐵芯D，鐵芯A?II，鐵芯B?II，所述鐵芯A?I、鐵芯B?I、鐵芯C、鐵芯D分別設(shè)有線圈A，線圈B，線圈C，線圈D；所述鐵芯A?I與鐵芯C、所述鐵芯B?I與鐵芯D、所述鐵芯AII與鐵芯BII分別以水平中心平面為對(duì)稱面；所述鐵芯A?I與鐵芯C之間、所述鐵芯B?I與鐵芯D之間設(shè)有間隙III，所述鐵芯A?II與鐵芯B?II之間設(shè)有間隙I；所述鐵芯A?I與鐵芯B?I之間、所述鐵芯C與鐵芯D之間設(shè)有間隙IV；所述鐵芯A?I、鐵芯B?I與鐵芯A?II的間隙內(nèi)設(shè)有磁控記憶合金A，所述鐵芯C、鐵芯D與鐵芯BII的間隙內(nèi)設(shè)有磁控記憶合金B(yǎng)，所述磁控記憶合金A與磁控記憶合金B(yǎng)之間設(shè)有間隙II，所述間隙II與間隙I、間隙III位置對(duì)應(yīng)，所述間隙II內(nèi)設(shè)有連桿A，連桿B，所述連桿A、連桿B的一端部分別與間隙II接觸；所述鐵芯A?I、鐵芯B?I、鐵芯C、鐵芯D為靴狀鐵芯；所述鐵芯A?II、鐵芯B?II為弧狀鐵芯；所述磁控記憶合金A與磁控記憶合金B(yǎng)為弧狀磁控記憶合金。

2.如權(quán)利要求1所述的能實(shí)現(xiàn)弧形運(yùn)動(dòng)的差動(dòng)式磁控形狀記憶合金裝置，其特征是，所述鐵芯A?I與鐵芯B?I，所述鐵芯C與鐵芯D，所述連桿A與連桿B，所述鐵芯A?II，所述鐵芯BII，所述磁控記憶合金A，所述磁控記憶合金B(yǎng)均以垂直中心平面為對(duì)稱面放置。

3.如權(quán)利要求1所述的能實(shí)現(xiàn)弧形運(yùn)動(dòng)的差動(dòng)式磁控形狀記憶合金裝置，其特征是，所述連桿A、連桿B徑向的剖面為“T”形，所述“T”形的上部位置的兩側(cè)分別與弧狀磁控記憶合金A與弧狀磁控記憶合金B(yǎng)的端面接觸。