[發(fā)明專利]Cd/CdS-SiO2三階非線性光學(xué)三元復(fù)合薄膜材料及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210008821.0 | 申請日: | 2012-01-12 | 
| 公開(公告)號: | CN102584022A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 | 
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 辜敏;卿勝蘭;鮮曉東 | 申請(專利權(quán))人: | 重慶大學(xué) | 
| 主分類號: | C03C17/22 | 分類號: | C03C17/22;C03C17/23;G02F1/355 | 
| 代理公司: | 重慶博凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 50212 | 代理人: | 張先蕓 | 
| 地址: | 400044 *** | 國省代碼: | 重慶;85 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | cd cds sio sub 非線性 光學(xué) 三元 復(fù)合 薄膜 材料 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及非線性光學(xué)材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種Cd/CdS-SiO2三階非線性光學(xué)復(fù)合薄膜材料及其電化學(xué)-溶膠凝膠制備方法。?
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背景技術(shù)
非線性光學(xué)(NLO)研究相干光與物質(zhì)相互作用時出現(xiàn)的各種新現(xiàn)象的產(chǎn)生機(jī)制、過程規(guī)律及應(yīng)用途徑,是在激光出現(xiàn)后迅速發(fā)展起來的光學(xué)的一個新分支。非線性光學(xué)材料在以光子代替電子進(jìn)行信息處理、集成、通訊等方面起著重要作用,在全光學(xué)通信、全光學(xué)計算機(jī)和信息處理等方面有著廣闊的應(yīng)用前景,是實現(xiàn)以光電子技術(shù)為核心的現(xiàn)代信息技術(shù)的物質(zhì)基礎(chǔ)。其中三階非線性光學(xué)材料在制備超高速光開關(guān)、光學(xué)存儲器、光學(xué)運(yùn)算元件、倍頻器及分子非線性電極化率的測定等方面有著不可替代的優(yōu)勢。目前已經(jīng)開發(fā)出很多種類的非線性光學(xué)材料,以氧化物玻璃和塊狀無機(jī)晶體材料為主,它們在集成器件的實際應(yīng)用中受到限制,而薄膜材料能夠適應(yīng)光電子器件微型化的要求,成為當(dāng)今材料科學(xué)的一個研究熱點(diǎn)。?-族化合物半導(dǎo)體(CdS、CdSexS1-x、ZnS等)禁帶寬度變化范圍大、具有直接躍遷能帶結(jié)構(gòu)、離子鍵成分大,具有優(yōu)異的非線性光學(xué)性。CdS由于制備簡單、性能穩(wěn)定并且在光通訊方面具有潛在的應(yīng)用前景而受到特別關(guān)注。目前對CdS摻雜非線性光學(xué)材料的研究主要集中在CdS摻雜玻璃,制備方法主要有高溫熔融法和溶膠-凝膠法。
高溫熔融法實驗步驟為:按配比將CdS、SiO2等混勻后置于剛玉坩堝內(nèi),加熱至1400-1500℃,保溫2h,自然冷卻(或急冷)。再將退火后的玻璃樣品在500-600℃中長時間保溫,使CdS納米晶析出。該方法的缺點(diǎn)是需要在1000℃以上高溫下進(jìn)行,對設(shè)備有一定的要求,且耗能高。制備出的為塊狀材料,未見薄膜形式材料報道。高溫熔融法制備的CdS摻雜玻璃材料的值不高,如顧少軒等用高溫熔融法制備的GeS2-Ga2S3-CdS玻璃用飛秒光Kerr技術(shù)測試值為10-13esu。?
溶膠-凝膠法是制備納米復(fù)合材料的主要方法之一,可以獲得單分散納米晶體摻雜,微晶尺寸分布窄、摻雜濃度較高。用溶膠-凝膠法制備CdS/SiO2復(fù)合材料可分為一步法和兩步法有兩種方法。一步法是將硅源、H2O、無水乙醇、鎘源、硫源在酸性條件下按比例混勻,長時間攪拌后靜置生成CdS/SiO2溶膠。通過浸入-提拉或旋涂的方法可制備CdS/SiO2膜材料。當(dāng)以硫脲為硫源制備CdS/SiO2膜材料時,需要對膜材料在N2保護(hù)下300℃熱處理,以使硫脲中的S釋放出來與Cd2+生成CdS。制備出的CdS/SiO2膜材料值為10-13esu(三波混頻)。兩步法是將硅源、H2O、無水乙醇、鎘源在酸性條件下按比例混勻,長時間攪拌后靜置,通過老化、干燥得到干凝膠。干凝膠與H2S氣體進(jìn)行氣固反應(yīng)生成CdS/SiO2復(fù)合材料。大部分溶膠-凝膠法制備CdS/SiO2復(fù)合材料采用的兩步法。報道的CdS/SiO2復(fù)合材料值有10-7esu(四波混頻)、10-11esu(四波混頻)、10-12esu(四波混頻)。缺點(diǎn)是用溶膠-凝膠法制備膜材料時膜與基底表面結(jié)合力差,易脫落;膜易開裂,膜質(zhì)量差;膜的厚度不易控制。這些都會嚴(yán)重影響薄膜材料的性質(zhì)。?
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發(fā)明內(nèi)容
針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足,本發(fā)明的目的是解決現(xiàn)有方法對設(shè)備要求高,能耗高,或薄膜性能不穩(wěn)定的問題,提供一種具有優(yōu)異三階光學(xué)非線性的Cd/CdS-SiO2三階非線性光學(xué)三元復(fù)合薄膜材料。?
本發(fā)明還提供一種對設(shè)備要求不高,且能耗較低,制備具有優(yōu)異三階光學(xué)非線性的CdS/SiO2復(fù)合薄膜的電化學(xué)-溶膠-凝膠法。?
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