[發明專利]碲基復合薄膜作為SOI材料的應用及其功率器件無效
| 申請號： | 201210008820.6 | 申請日： | 2012-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN102522365A | 公開（公告）日： | 2012-06-27 |
| 發明（設計）人： | 辜敏;甘平;鮮曉東 | 申請（專利權）人： | 重慶大學 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762;H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 重慶博凱知識產權代理有限公司 50212 | 代理人： | 張先蕓 |
| 地址： | 400044 *** | 國省代碼： | 重慶;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 復合 薄膜 作為 soi 材料 應用 及其 功率 器件 | ||
【權利要求書】：
1.碲基復合薄膜作為SOI材料的應用。
2.根據權利要求1所述碲基復合薄膜作為SOI材料的應用，所述碲基復合薄膜為含SiO2顆粒之間嵌有TeO2和/或Te形成Te/TeO2－SiO2的復合薄膜結構。
3.一種SOI功率器件，主要由襯底、絕緣層、P型硅、電極和金屬電極構成；其特征在于，采用碲基復合薄膜作為絕緣層的SOI?P-N結結構。
4.根據權利要求3所述的SOI功率器件，其特征在于，所述SOI功率器件有源區位于絕緣層上的硅膜內，完整的介質隔離避免體硅器件中存在的大部分寄生效應。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
