[發(fā)明專(zhuān)利]具有降壓調(diào)節(jié)能力的升壓轉(zhuǎn)換器及其降壓調(diào)節(jié)方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210008707.8
• 申請(qǐng)日: 2012-01-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103187874A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱子寰;陳健生;李貞慶
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 立锜科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H02M3/156
• 分類(lèi)號(hào): H02M3/156
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

1.一種升壓轉(zhuǎn)換器的降壓調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述升壓轉(zhuǎn)換器包含電感連接在所述升壓轉(zhuǎn)換器的輸入端及切換節(jié)點(diǎn)之間、第一開(kāi)關(guān)連接在所述切換節(jié)點(diǎn)及參考電位端之間以及作為第二開(kāi)關(guān)的PMOS晶體管連接在所述切換節(jié)點(diǎn)及所述升壓轉(zhuǎn)換器的輸出端之間，所述降壓調(diào)節(jié)方法包括下列步驟：

(A)關(guān)閉所述第一開(kāi)關(guān)；以及

(B)切換所述PMOS晶體管以將所述輸入端的輸入電壓轉(zhuǎn)換為所述輸出端的輸出電壓，所述輸出電壓小于所述輸入電壓。

2.如權(quán)利要求1所述的降壓調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述步驟(B)包括提供柵極電壓至所述PMOS晶體管的柵極以關(guān)閉所述PMOS晶體管，所述柵極電壓大于所述輸入電壓減去所述PMOS晶體管的臨界電壓的絕對(duì)值的電壓。

3.一種升壓轉(zhuǎn)換器的降壓調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述升壓轉(zhuǎn)換器包含電感連接在所述升壓轉(zhuǎn)換器的輸入端及切換節(jié)點(diǎn)之間、第一開(kāi)關(guān)連接在所述切換節(jié)點(diǎn)及參考電位端之間以及作為第二開(kāi)關(guān)的PMOS晶體管連接在所述切換節(jié)點(diǎn)及所述升壓轉(zhuǎn)換器的輸出端之間，所述降壓調(diào)節(jié)方法包括下列步驟：

(A)打開(kāi)所述第一開(kāi)關(guān)并關(guān)閉所述PMOS晶體管以使所述電感儲(chǔ)能；

(B)打開(kāi)所述PMOS晶體管并關(guān)閉所述第一開(kāi)關(guān)；以及

(C)關(guān)閉所述第一開(kāi)關(guān)及所述PMOS晶體管以使所述電感放能。

4.如權(quán)利要求3所述的降壓調(diào)節(jié)方法，其特征在于，所述關(guān)閉所述PMOS晶體管的步驟包括提供柵極電壓至所述PMOS晶體管的柵極，所述柵極電壓大于所述輸入電壓減去所述PMOS晶體管的臨界電壓的絕對(duì)值。

5.一種升壓轉(zhuǎn)換器，其特征在于，包括：

電感，連接在所述升壓轉(zhuǎn)換器的輸入端及切換節(jié)點(diǎn)之間；

第一開(kāi)關(guān)連接在所述切換節(jié)點(diǎn)及參考電位端之間；

作為第二開(kāi)關(guān)的PMOS晶體管，連接在所述切換節(jié)點(diǎn)及所述升壓轉(zhuǎn)換器的輸出端之間；以及

控制器，連接所述第一開(kāi)關(guān)及所述PMOS晶體管，控制所述第一開(kāi)關(guān)及所述PMOS晶體管的切換；

其中，在降壓模式期間，所述控制器關(guān)閉所述第一開(kāi)關(guān)并且切換所述PMOS晶體管以將所述輸入端的輸入電壓轉(zhuǎn)換為所述輸出端的輸出電壓，所述輸出電壓小于所述輸入電壓。

6.如權(quán)利要求5所述的升壓轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述控制器提供柵極電壓至所述PMOS晶體管的柵極以關(guān)閉所述PMOS晶體管，所述柵極電壓大于所述輸入電壓減去所述PMOS晶體管的臨界電壓的絕對(duì)值的電壓。

7.一種升壓轉(zhuǎn)換器，其特征在于，包括：

電感，連接在所述升壓轉(zhuǎn)換器的輸入端及切換節(jié)點(diǎn)之間；

第一開(kāi)關(guān)連接在所述切換節(jié)點(diǎn)及參考電位端之間；

作為第二開(kāi)關(guān)的PMOS晶體管，連接在所述切換節(jié)點(diǎn)及所述升壓轉(zhuǎn)換器的輸出端之間；以及

控制器，連接所述第一開(kāi)關(guān)及所述PMOS晶體管，控制所述第一開(kāi)關(guān)及所述PMOS晶體管的切換；

其中，在降壓模式期間，所述控制器依序執(zhí)行下列步驟：打開(kāi)所述第一開(kāi)關(guān)并關(guān)閉所述PMOS晶體管以使所述電感儲(chǔ)能；打開(kāi)所述PMOS晶體管并關(guān)閉所述第一開(kāi)關(guān)；以及關(guān)閉所述第一開(kāi)關(guān)及所述PMOS晶體管以使所述電感放能。

8.如權(quán)利要求7所述的升壓轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述控制器提供柵極電壓至所述PMOS晶體管的柵極以關(guān)閉所述PMOS晶體管，所述柵極電壓大于所述輸入電壓減去所述PMOS晶體管的臨界電壓的絕對(duì)值的電壓。