[發明專利]一種側面泵浦圓棒狀自倍頻晶體激光器

無效

• 申請號: 201210008564.0
• 申請日: 2012-01-12
• 公開（公告）號: CN102593706A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 宗楠;申玉;許祖彥;彭欽軍;王繼揚;張懷金;于浩海;王正平
• 申請（專利權）人: 中國科學院理化技術研究所;山東大學
• 主分類號: H01S3/16
• 分類號: H01S3/16;H01S3/109;H01S3/0941;H01S3/042
• 代理公司: 北京法思騰知識產權代理有限公司 11318
• 代理人: 楊小蓉;楊青

1.一種側面泵浦圓棒狀自倍頻晶體激光器，其包括：圓棒狀自倍頻晶體、泵浦源、激光諧振腔及冷卻散熱裝置；所述散熱裝置包括泵浦源散熱裝置和晶體散熱裝置；

所述泵浦源為位于所述圓棒狀自倍頻晶體側面的半導體二極管泵浦源，所述泵浦源被固定在泵浦源散熱裝置上；所述泵浦源發出的泵浦光從圓棒狀自倍頻晶體側面進入并被吸收；

激光諧振腔由分別位于所述圓棒狀自倍頻晶體兩個端面外側的激光腔鏡A和激光腔鏡B組成，或由直接鍍在所述圓棒狀自倍頻晶體兩個端面上的激光腔鏡膜組成；

所述晶體散熱裝置設有冷卻液體入口和冷卻液體出口，冷卻液由冷卻液體入口進入，流過圓棒狀自倍頻晶體側面，通過熱交換帶走圓棒狀自倍頻晶體內產生的熱量，再從冷卻液體出口流出；所述晶體散熱裝置在圓棒狀自倍頻晶體側面與泵浦源之間部分為透光結構，以密封冷卻液并使泵浦源發出的泵浦光透過。

2.根據權利要求1所述的側面泵浦圓棒狀自倍頻晶體激光器，其特征在于，所述圓棒狀自倍頻晶體為摻釹四硼酸釔鋁自倍頻晶體、摻鐿四硼酸釔鋁自倍頻晶體、摻釹三硼酸鈣氧釓自倍頻晶體、摻釹三硼酸鈣氧釔自倍頻晶體、摻鐿三硼酸鈣氧釓自倍頻晶體、摻鐿三硼酸鈣氧釔自倍頻晶體或摻鉺三硼酸鈣氧釔自倍頻晶體。

3.根據權利要求1所述的側面泵浦圓棒狀自倍頻晶體激光器，其特征在于，所述棒狀自倍頻晶體的直徑為2～10mm，長度為10～80mm，切割角度為該自倍頻晶體的相位匹配方向。

4.根據權利要求2所述的側面泵圓形浦棒狀自倍頻晶體激光器，其特征在于，所述圓棒狀自倍頻晶體為整塊相同摻雜濃度的晶體，或為在所述圓棒狀自倍頻晶體兩個端面鍵合純基質材料的晶體。

5.根據權利要求1所述的側面泵浦圓棒狀自倍頻晶體激光器，其特征在于，所述的泵浦源為m×n個，m為泵浦源圍數，所述泵浦源圍數是指環繞圓棒狀自倍頻晶體一圈均勻放置m個泵浦源；n是泵浦源列數，所述泵浦源列數是指所述圓棒狀自倍頻晶體一側放置n個泵浦源。

6.根據權利要求1所述的側面泵浦圓棒狀自倍頻晶體激光器，其特征在于，所述激光諧振腔鏡A和激光諧振腔鏡B為平凹鏡、平平鏡或平凸鏡；

所述激光諧振腔鏡A上的激光腔鏡膜與鍍于所述圓棒狀自倍頻晶體一端面上的激光腔鏡膜均為對于基頻激光和倍頻激光的R＞99％雙高反膜；所述激光諧振腔鏡B上的激光腔鏡膜與鍍于所述圓棒狀自倍頻晶體另一端面上的激光腔鏡膜為對于基頻激光R＞99％高反膜和對于倍頻激光T＞90％高透膜。

7.根據權利要求1所述的側面泵浦圓棒狀自倍頻晶體激光器，其特征在于，還包括放置于所述圓棒狀自倍頻晶體側面非泵浦光入射部位的聚光腔，以將散射或未吸收而透過的泵浦光收集并匯聚到所述圓棒狀自倍頻晶體內再次吸收。