[發(fā)明專利]沉積源和包括沉積源的有機(jī)層沉積裝置有效
申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210008397.X | 申請(qǐng)日: | 2012-01-09 |
公開(公告)號(hào): | CN102586738A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 崔永默;康熙哲;金綵雄;金茂顯;李東規(guī) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星移動(dòng)顯示器株式會(huì)社 |
主分類號(hào): | C23C14/24 | 分類號(hào): | C23C14/24;C23C14/12 |
代理公司: | 北京英賽嘉華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艷春 |
地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 沉積 包括 有機(jī) 裝置 | ||
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求于2011年1月12日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2011-0003155號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的權(quán)益,該申請(qǐng)的全部公開內(nèi)容通過引用并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施方式的各方面涉及沉積源和有機(jī)層沉積裝置,更具體地,涉及能簡(jiǎn)單用于生產(chǎn)大規(guī)模的大尺寸顯示裝置并能防止或基本防止沉積源噴嘴在沉積過程中被阻塞的沉積源和有機(jī)層沉積裝置。
背景技術(shù)
與其它顯示裝置相比,有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有更大的視角、更好的對(duì)比度特性以及更快的響應(yīng)速度,因而作為下一代顯示裝置而備受矚目。
有機(jī)發(fā)光顯示裝置通常具有層疊結(jié)構(gòu),該層疊結(jié)構(gòu)包括陽(yáng)極、陰極、以及插入陽(yáng)極與陰極之間的發(fā)射層。當(dāng)從陽(yáng)極和陰極分別注入的空穴和電子在發(fā)射層中復(fù)合從而發(fā)出光線時(shí),這些裝置顯示彩色圖像。
通過這種結(jié)構(gòu)難以獲得高發(fā)光效率,因此在發(fā)射層與這些電極中的每一個(gè)之間任選附加地插入包括電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層、空穴注入層等的中間層。
另外,實(shí)際上很難在例如發(fā)射層和中間層的有機(jī)薄膜中形成精細(xì)圖案,而且紅色、綠色以及藍(lán)色發(fā)光效率根據(jù)有機(jī)薄膜改變。為了這些原因,不容易通過利用傳統(tǒng)的有機(jī)層沉積裝置在大襯底(例如具有5G或更大尺寸的母體玻璃)上形成有機(jī)薄膜圖案,因而難以制造具有滿意的驅(qū)動(dòng)電壓、電流密度、亮度、顏色純度、發(fā)光效率以及壽命特性的大型有機(jī)發(fā)光顯示裝置。因此,就這一點(diǎn)而言存在改進(jìn)的需求。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的方面,沉積源和有機(jī)層沉積裝置可以被簡(jiǎn)單制造、可以簡(jiǎn)單地用于生產(chǎn)大規(guī)模的大尺寸顯示裝置,并且可以防止或基本防止沉積源噴嘴在沉積過程中被阻塞。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式,沉積源包括:第一沉積源和第二沉積源,均沿第一方向設(shè)置;第一沉積源噴嘴單元,位于所述第一沉積源的側(cè)面,并且包括在所述第一方向設(shè)置的多個(gè)第一沉積源噴嘴;第二沉積源噴嘴單元,位于所述第二沉積源的側(cè)面,并且包括在所述第一方向設(shè)置的多個(gè)第二沉積源噴嘴;一對(duì)第一突出反射器,被設(shè)置在所述多個(gè)第一沉積源噴嘴的相對(duì)兩側(cè),其中所述多個(gè)第一沉積源噴嘴位于所述第一突出反射器之間;以及一對(duì)第二突出反射器,被設(shè)置在所述多個(gè)第二沉積源噴嘴的相對(duì)兩側(cè),其中所述多個(gè)第二沉積源噴嘴位于所述第二突出反射器之間,其中所述多個(gè)第一沉積源噴嘴和所述多個(gè)第二沉積源噴嘴朝向彼此傾斜。
從所述第一沉積源可以排放主體材料,而且從所述第二沉積源可以排放摻雜物材料。
該沉積源可以進(jìn)一步包括第三突出反射器,所述第三突出反射器連接所述第一突出反射器中的一個(gè)的一端和所述第一突出反射器中的另一個(gè)的一端。
所述第一突出反射器中的一個(gè)的所述一端和所述第一突出反射器中的另一個(gè)的所述一端均可以鄰近所述第二沉積源。
該沉積源可以進(jìn)一步包括第四突出反射器,所述第四突出反射器連接所述第二突出反射器中的一個(gè)的一端和所述第二突出反射器中的另一個(gè)的一端。
所述第二突出反射器中的一個(gè)的所述一端和所述第二突出反射器中的另一個(gè)的所述一端均可以鄰近所述第一沉積源。
所述第一突出反射器的高度可以大于或者等于所述第一沉積源噴嘴的高度。
所述第二突出反射器的高度可以大于或者等于所述第二沉積源噴嘴的高度。
在一個(gè)實(shí)施方式中,在所述多個(gè)第一沉積源噴嘴之中最靠近所述第二沉積源的沉積源噴嘴是虛擬噴嘴,并且所述虛擬噴嘴中沒有孔,以使得所述第一沉積源中包含的沉積材料不能夠通過所述虛擬噴嘴排放。
在一個(gè)實(shí)施方式中,在所述多個(gè)第二沉積源噴嘴之中最靠近所述第一沉積源的沉積源噴嘴是虛擬噴嘴,并且所述虛擬噴嘴中沒有孔,以使得所述第二沉積源中包含的沉積材料不能夠通過所述虛擬噴嘴排放。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式,用于在襯底上形成薄膜的有機(jī)層沉積裝置包括:沉積源,用于排放沉積材料;沉積源噴嘴單元,位于所述沉積源的側(cè)面,并且包括在第一方向設(shè)置的多個(gè)沉積源噴嘴;以及圖案化縫隙片,位于所述沉積源噴嘴單元的對(duì)面,并且具有在與所述第一方向垂直的第二方向設(shè)置的多個(gè)圖案化縫隙。該襯底在所述第一方向相對(duì)于所述有機(jī)層沉積裝置可移動(dòng)以用于執(zhí)行沉積。所述沉積源包括第一沉積源和第二沉積源,以用于排放不同的材料。所述沉積源噴嘴單元包括:第一沉積源噴嘴單元,位于所述第一沉積源的側(cè)面,并且包括在所述第一方向設(shè)置的多個(gè)第一沉積源噴嘴;以及第二沉積源噴嘴單元,位于所述第二沉積源的側(cè)面,并且包括在所述第一方向設(shè)置的多個(gè)第二沉積源噴嘴。所述多個(gè)第一沉積源噴嘴和所述多個(gè)第二沉積源噴嘴傾斜預(yù)定的角度。
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- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
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