[發明專利]薄膜的制法及共蒸鍍用蒸鍍材、薄膜、薄膜片及層疊片

有效

• 申請號: 201210008345.2
• 申請日: 2012-01-12
• 公開（公告）號: CN102628155A
• 公開（公告）日: 2012-08-08
• 發明（設計）人: 有泉久美子;吉田勇氣;櫻井英章
• 申請（專利權）人: 三菱綜合材料株式會社
• 主分類號: C23C14/00
• 分類號: C23C14/00;C23C14/08;B32B9/04
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 康泉;王珍仙

1.一種薄膜的制造方法，其特征在于，

使用由第1氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與所述第1氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材，利用通過真空成膜法同時蒸鍍的共蒸鍍法，在基材上形成由所述第1氧化物和所述第2氧化物構成的氧化物薄膜。

2.如權利要求1所述的薄膜的制造方法，其中，

以所述形成的薄膜的堿度為0.03以上的方式組合由所述第1氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與所述第1氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材。

3.如權利要求1或2所述的薄膜的制造方法，其中，

以所述形成的薄膜的第1氧化物與第2氧化物的摩爾比率為5～85∶95～15的方式組合由所述第1氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與所述第1氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材。

4.如權利要求1所述的薄膜的制造方法，其中，

所述升華性蒸鍍材的第1氧化物及第2氧化物為選自ZnO、CaO、MgO、SnO₂及CeO₂中的至少1種。

5.如權利要求1所述的薄膜的制造方法，其中，

所述真空成膜法為電子束蒸鍍法、離子鍍法、反應性等離子體蒸鍍法、電阻加熱法或感應加熱法中的任意一種。

6.如權利要求1所述的薄膜的制造方法，其中，

所述升華性蒸鍍材的第1氧化物顆粒及第2氧化物顆粒的平均粒徑分別為0.1～10μm。

7.一種共蒸鍍用蒸鍍材，其特征在于，

用于權利要求1至6中任一項所述的制造方法，

包括由所述第1氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與所述第1氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材的組合。

8.如權利要求7所述的共蒸鍍用蒸鍍材，其中，

所述升華性蒸鍍材的第1氧化物及第2氧化物為選自ZnO、CaO、MgO、SnO₂及CeO₂中的至少1種。

9.如權利要求7或8所述的共蒸鍍用蒸鍍材，其中，

所述升華性蒸鍍材的第1氧化物顆粒及第2氧化物顆粒的平均粒徑分別為0.1～10μm。

10.一種氧化物薄膜，其中，

通過權利要求1至6中任一項所述的制造方法得到，

使用由所述第1氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與所述第1氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材，利用通過真空成膜法同時蒸鍍的共蒸鍍法成膜，并由所述第1氧化物及所述第2氧化物構成。

11.一種薄膜片，其中，

通過權利要求1至6中任一項所述的制造方法，在第1基材膜上形成氧化物薄膜而成，所述氧化物薄膜使用由所述第1氧化物構成的升華性蒸鍍材和由與所述第1氧化物不同種類的第2氧化物構成的升華性蒸鍍材，利用通過真空成膜法同時蒸鍍的共蒸鍍法成膜，并由所述第1氧化物及所述第2氧化物構成。

12.如權利要求11所述的薄膜片，其中，

所述真空成膜法為電子束蒸鍍法、離子鍍法、反應性等離子體蒸鍍法、電阻加熱法或感應加熱法中的任意一種。

13.如權利要求11或12所述的薄膜片，其中，

在溫度20℃、相對濕度50％RH的條件下放置1小時時的水蒸氣滲透率S為0.3g/m²·天以下。

14.一種層疊片，該層疊片在權利要求11至13中任一項所述的薄膜片的薄膜形成側，通過粘著層層疊第2基材膜而成。