[發明專利]封裝基板的制法有效
| 申請號： | 201210008304.3 | 申請日： | 2012-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN103208460A | 公開（公告）日： | 2013-07-17 |
| 發明（設計）人： | 鄭偉鳴;陶艾偉;吳明豪;黃瀚霈 | 申請（專利權）人： | 欣興電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/00 | 分類號： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人： | 程偉;王錦陽 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 封裝 制法 | ||
1.一種封裝基板的制法，其包括：
提供一表面具有第一線路層的芯層，該芯層的表面上具有預開口區；
于該芯層的預開口區上形成膨脹材；
于該芯層、第一線路層及膨脹材上形成增層結構；
于該增層結構上沿對應該預開口區的邊緣進行切割；
由該切割處將熱源導至該膨脹材，令該膨脹材膨脹；以及
移除該膨脹材及其上的材質，以形成開口。
2.根據權利要求1所述的封裝基板的制法，其特征在于，該膨脹材具有發泡性質。
3.根據權利要求2所述的封裝基板的制法，其特征在于，該膨脹材的觸發發泡條件為該熱源提供的溫度至少250℃。
4.根據權利要求1所述的封裝基板的制法，其特征在于，該增層結構具有至少一介電層、形成于該介電層上的第二線路層、及設于該介電層中并電性連接該第一與第二線路層的多個導電盲孔。
5.根據權利要求4所述的封裝基板的制法，其特征在于，該制法還包括于該增層結構上形成絕緣保護層，且該絕緣保護層上形成有多個開孔，以令該第二線路層的部分表面外露于該些開孔。
6.根據權利要求1所述的封裝基板的制法，其特征在于，該切割工藝以激光方式進行。
7.根據權利要求6所述的封裝基板的制法，其特征在于，該激光所產生的熱能傳導至該膨脹材，令該膨脹材遇熱膨脹。
8.根據權利要求1所述的封裝基板的制法，其特征在于，該制法還包括形成反應孔于該膨脹材上方的增層結構中，以令該膨脹材經該反應孔與外界連通。
9.根據權利要求7所述的封裝基板的制法，其特征在于，該制法還包括提供該熱源進入該反應孔中，令該膨脹材膨脹。
10.根據權利要求1所述的封裝基板的制法，其特征在于，該制法還包括形成金屬層于該膨脹材與該增層結構之間。
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