[發(fā)明專利]太陽電池和半導(dǎo)體器件以及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210008282.0 | 申請日： | 2006-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN102522462A | 公開（公告）日： | 2012-06-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 西和夫;青木智幸;伊佐敏行;藤井嚴 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所 11038 | 代理人： | 屠長存 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 太陽電池 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種太陽電池的制造方法，包括以下步驟：
在襯底上形成第一電極層；
在所述第一電極層上形成非晶半導(dǎo)體層；
通過在所述非晶半導(dǎo)體層的頂表面上形成有機材料層來降低所述非晶半導(dǎo)體層的頂表面的潤濕性；
在所述有機材料層和所述非晶半導(dǎo)體層中形成到達所述第一電極層的開口；以及
通過以導(dǎo)電膏填充所述開口使得不從所述開口溢出而形成第二電極層。
2.一種太陽電池的制造方法，包括以下步驟：
在襯底上形成第一電極層；
在所述第一電極層上形成光電轉(zhuǎn)換層；
通過在所述光電轉(zhuǎn)換層的頂表面上形成有機材料層來降低所述光電轉(zhuǎn)換層的頂表面的潤濕性；
在所述有機材料層和所述光電轉(zhuǎn)換層中形成到達所述第一電極層的開口；以及
通過以導(dǎo)電膏填充所述開口使得不從所述開口溢出而形成第二電極層。
3.一種太陽電池的制造方法，包括以下步驟：
在襯底上形成第一電極層；
在所述第一電極層上形成光電轉(zhuǎn)換層；
通過在所述光電轉(zhuǎn)換層的頂表面上形成有機材料層來降低所述光電轉(zhuǎn)換層的頂表面的潤濕性；
在所述有機材料層和所述光電轉(zhuǎn)換層中形成到達所述第一電極層的開口；
通過以導(dǎo)電膏填充所述開口使得不從所述開口溢出而形成第一導(dǎo)電材料的第二電極層；以及
形成在所述有機材料層上并與所述第二電極層電接觸的第二導(dǎo)電材料的第三電極，所述第三電極與所述第二電極層分開地形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的太陽電池的制造方法，其中所述第二導(dǎo)電材料不同于所述第一導(dǎo)電材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的太陽電池的制造方法，其中所述第二電極層通過噴墨法形成，并且所述第三電極通過濺射法形成。
6.一種太陽電池的制造方法，包括以下步驟：
在襯底上形成第一電極層；
在所述第一電極層上形成光電轉(zhuǎn)換層；
在所述光電轉(zhuǎn)換層的頂表面上形成由含碳氟鏈的有機材料形成的有機材料層從而降低所述光電轉(zhuǎn)換層的頂表面的潤濕性；
在所述有機材料層和所述光電轉(zhuǎn)換層中形成到達所述第一電極層的開口；以及
通過以導(dǎo)電膏填充所述開口使得不從所述開口溢出而形成第二電極層。
7.一種太陽電池的制造方法，包括以下步驟：
在襯底上形成第一電極層；
在所述第一電極層上形成光電轉(zhuǎn)換層；
在所述光電轉(zhuǎn)換層的頂表面上形成由含硅烷偶聯(lián)劑的有機材料形成的有機材料層從而降低所述光電轉(zhuǎn)換層的頂表面的潤濕性；
在所述有機材料層和所述光電轉(zhuǎn)換層中形成到達所述第一電極層的開口；以及
通過以導(dǎo)電膏填充所述開口使得不從所述開口溢出而形成第二電極層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的太陽電池的制造方法，其中所述硅烷偶聯(lián)劑是含氟烷基團作為R的氟基硅烷偶聯(lián)劑。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-3和6-7中任一項的太陽電池的制造方法，其中所述襯底由玻璃、不銹鋼或高分子材料形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的太陽電池的制造方法，其中所述高分子材料是選自聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二酸丁醇酯中的材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-3和6-7中任一項的太陽電池的制造方法，其中所述第二電極層比所述開口稍薄。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-3和6-7中任一項的太陽電池的制造方法，其中所述第二電極層比所述開口稍厚。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-3和6-7中任一項的太陽電池的制造方法，還包括以下步驟：
形成到達所述襯底的另一開口；以及
通過以絕緣材料填充所述另一開口使得不從所述另一開口溢出而形成絕緣層。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的太陽電池的制造方法，其中所述絕緣層比所述另一開口稍薄。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的太陽電池的制造方法，其中所述絕緣層比所述另一開口稍厚。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
