[發明專利]使用漂浮導體的HV互連解決方案

有效

• 申請號: 201210008172.4
• 申請日: 2012-01-10
• 公開（公告）號: CN102623488A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 蘇如意;楊富智;蔡俊琳;霍克孝;鄭志昌;柳瑞興
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L29/41
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種器件，包括：

半導體襯底；

在所述半導體襯底中的第一重摻雜區域和第二重摻雜區域；

絕緣區域，至少一部分所述絕緣區域位于所述半導體襯底中，其中所述絕緣區域鄰近所述第一重摻雜區域和所述第二重摻雜區域；

柵極絕緣層，所述柵極絕緣層位于所述半導體襯底上方并且包括位于一部分所述絕緣區域上方的部分；

柵極，位于所述柵極絕緣層上方；

漂浮導體，所述漂浮導體位于所述絕緣區域的上方并且與所述絕緣區域垂直地重疊；以及

金屬線，所述金屬線包括位于所述漂浮導體上方并且與所述漂浮導體垂直地重疊的部分，其中所述金屬線與所述第二重摻雜區域連接并且承載所述第二重摻雜區域的電壓。

2.根據權利要求1所述的器件，其中所述第一重摻雜區域和所述第二重摻雜區域是相同的導電類型，并且其中所述第一重摻雜區域和所述第二重摻雜區域是各個高壓MOS器件的源極和漏極，所述高壓MOS器件包括所述柵極和所述第一重摻雜區域以及所述第二重摻雜區域。

3.根據權利要求1所述的器件，其中所述第一重摻雜區域和所述第二重摻雜區域是相反的導電類型，并且其中所述柵極與所述第一重摻雜區域電連接。

4.一種器件，包括：

高壓金屬氧化物半導體(HVMOS)，所述高壓金屬氧化物半導體包括：

源極和漏極；

鄰近所述漏極的漏極絕緣區域；以及

柵極，所述柵極鄰近所述源極并且包括延伸到部分所述漏極絕緣區域上方的部分；

漂浮導體，所述漂浮導體位于所述漏極絕緣區域上方并且與所述漏極絕緣區域垂直地重疊；以及

金屬線，所述金屬線包括位于部分所述漂浮導體上方并且與所述部分所述漂浮導體垂直地重疊的部分，其中所述金屬線與所述漏極連接并且承載所述漏極的電壓。

5.根據權利要求4所述的器件，其中所述漏極絕緣區域形成包圍所述漏極的第一環，并且所述漂浮導體形成位于所述第一環上方的第二環。

6.根據權利要求4所述的器件，其中所述漂浮導體包括多晶硅。

7.根據權利要求4所述的器件，其中所述漂浮導體包括金屬，并且所述漂浮導體位于比所述柵極高一水平的金屬層中。

8.根據權利要求4所述的器件，還包括多個位于所述漏極絕緣區域上方并且與所述漏極絕緣區域垂直地重疊的漂浮導體，所述多個漂浮導體互相電絕緣。

9.根據權利要求8所述的器件，其中所述多個漂浮導體之間的間隔基本上等于所述各個器件的形成技術所允許的最小間隔。

10.一種器件，包括：

高壓二極管，所述高壓二極管包括：

P-型的源極和n-型的漏極；

鄰近所述漏極的漏極絕緣區域；以及

柵極，所述柵極鄰近所述源極并且包括延伸到一部分所述漏極絕緣區域上方并且與該部分所述漏極絕緣區域垂直地重疊的部分，

其中所述柵極與所述源極電連接；

漂浮導體，所述漂浮導體位于所述漏極絕緣區域的上方并且與所述漏極絕緣區域垂直地重疊；以及

金屬線，所述金屬線包括位于一部分所述漂浮導體上方并且與該部分所述漂浮導體垂直地重疊的部分，其中所述金屬線與高壓器件連接并且接收來自所述高壓器件的高電壓。