[發明專利]一種高頻率選擇性的射頻前端集成電路結構

有效

• 申請號: 201210007837.X
• 申請日: 2012-01-11
• 公開（公告）號: CN102571134A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 廖懷林;陳龍;劉軍華
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H04B1/40
• 分類號: H04B1/40
• 代理公司: 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙) 11200
• 代理人: 余長江

1.一種射頻前端集成電路結構，包括低噪聲放大器和下變頻混頻器，所述低噪聲放大器輸入端連接天線和匹配網絡，輸出端連接負載網絡和下變頻混頻器，其特征在于，所述匹配網絡和負載網絡電路均為高Q值帶通電路。

2.如權利要求1所述的射頻前端集成電路結構，其特征在于，所述高Q值輸入匹配網絡和高Q值帶通負載電路由三路相同的阻抗串聯結構并聯而成，每路阻抗由一個NMOS元件串聯一個低通基帶阻抗構成。

3.如權利要求2所述的射頻前端集成電路結構，其特征在于，所述低通基帶阻抗不與NMOS元件連接的一端共同接地，NMOS開關的另一端連接至一共同節點。

4.如權利要求3所述的射頻前端集成電路結構，其特征在于，利用三路方波控制信號控制NMOS的開關，所述的方波信號頻率為射頻信號的中心頻率f₀，每一路方波的占空比為1/3，相位上依次延遲1/3個周期。

5.如權利要求1所述的射頻前端集成電路結構，其特征在于，所述低噪聲放大器由兩級放大級級聯而成，每一級由一跨導和高Q帶通負載組成。

6.如權利要求2所述的射頻前端集成電路結構，其特征在于，所述高Q值帶通電路中低通阻抗由一電阻和一電容并聯。

7.如權利要求1所述的射頻前端集成電路結構，其特征在于，所述下變頻混頻器由一輸入跨導、一開關陣列和一跨阻放大器組成。

8.如權利要求1所述的射頻前端集成電路結構，其特征在于，所述下變頻混頻器的跨導和NMOS開關通過設定的比例和相位組合，跨導按1∶2∶1的比例將射頻電壓信號轉換為電流信號，控制NMOS開關的方波依次對應按0度、60度和120度的相位對電流信號作下變頻，并經跨阻放大器加和以放大有用信號同時抑制三階諧波增益。