[發(fā)明專利]一種低成本制備雙軸織構(gòu)氧化物緩沖層的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210007749.X
• 申請(qǐng)日: 2012-01-11
• 公開（公告）號(hào): CN103208586A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉志勇;蔡增輝;白傳易;魯玉明;蔡傳兵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海恒云能源科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L39/24
• 分類號(hào): H01L39/24
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種通過(guò)電沉積和后續(xù)熱處理制備雙軸織構(gòu)二元或三元氧化物緩沖層薄膜的方法，其特征是：通過(guò)電沉積形成的是氧化物薄膜，且形成的氧化物薄膜具有良好的面內(nèi)和面外織構(gòu)，且表面粗糙度為納米級(jí)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙軸織構(gòu)氧化物緩沖層制備方法，其特征是，在電沉積的過(guò)程中通過(guò)施加磁場(chǎng)的方法顯著降低雙軸織構(gòu)氧化物薄膜的表面粗糙度，提高薄膜表面質(zhì)量。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙軸織構(gòu)氧化物緩沖層制備方法，其特征是，所述二元或者三元氧化物緩沖層是指RexOy，RexMnyOz和RexZryOz等，其中Re為Y，Zr及Ce、Gd、Ho等稀土元素。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙軸織構(gòu)氧化物緩沖層制備方法，其特征是，所述的雙軸織構(gòu)的氧化物緩沖層可以沉積一層，也可以沉積多層。