[發明專利]移位暫存器及其方法

無效

• 申請號: 201210007689.1
• 申請日: 2012-01-11
• 公開（公告）號: CN103208246A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 柯健專;吳昭慧
• 申請（專利權）人: 瀚宇彩晶股份有限公司
• 主分類號: G09G3/20
• 分類號: G09G3/20;G09G3/36
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種設置在玻璃基版上的移位暫存器，包含：

第一薄膜晶體管，包括：

第一端，接收啟動脈沖或(N-1)級脈沖；

第二端；以及

控制端，電連接于所述第一端；

第二薄膜晶體管，包括：

第一端，接收時脈信號；

第二端，輸出N級脈沖；以及

控制端，電連接于所述第一薄膜晶體管的第二端；以及

電容器，具有第一端與第二端，其中所述第一端電連接于所述第二薄膜晶體管的控制端，且所述第二端電連接于所述第二薄膜晶體管的第二端；以及

第三薄膜晶體管，包括：

第一端，電連接所述電容器的第一端于第一節點；

第二端，接收公共接地端電壓；以及

控制端，接收(N+2)級脈沖。

2.如權利要求1所述的移位暫存器，還包括：

第四薄膜晶體管，包括：

第一端，接收所述啟動脈沖或所述(N-1)級脈沖；

第二端，電連接于所述第一薄膜晶體管的控制端；以及

控制端，電連接于所述第一端；以及

第五薄膜晶體管，包括：

第一端，電連接所述第四薄膜晶體管的第二端于第二節點；

第二端，接收所述公共接地端電壓；以及

控制端，接收所述時脈信號。

3.一種設置在玻璃基版上的移位暫存器，包含：

第一至第三晶體管，各具有第一端、第二端與控制端，且所述第一晶體管的第二端、所述第二晶體管的第一端和所述第三晶體管的控制端電連接于一個節點，且所述第一晶體管的第一端電連接所述第一晶體管的控制端；以及

電容器，具有電連接于所述第二晶體管的控制端的第一端與電連接于所述第二晶體管的第二端的第二端，

其中所述第一晶體管的第一端接收(N-1)級脈沖，所述第二晶體管的第一端接收時脈信號，所述第三晶體管的控制端接收(N+2)級脈沖，且所述第三晶體管的第二端接收公共接地端電壓。

4.一種用于設置在玻璃基版上的移位暫存器的方法，其中所述移位暫存器包括各具有第一端、第二端與控制端的第一至第三晶體管，所述第一晶體管的第二端與所述第二晶體管的第一端和所述第三晶體管的控制端電連接于一個節點，所述第一晶體管的第一端接收(N-1)級脈沖或啟動脈沖，且電連接所述第一晶體管的控制端，所述第二晶體管的第一端接收時脈信號，且所述第三晶體管的控制端接收(N+2)級脈沖，所述方法包含下列步驟：

以所述(N-1)級脈沖對所述節點進行預充電；

當所述時脈信號拉升至第一電位時，使所述節點因電容耦合效應而提升至相對高電位；

使所述第二晶體管的柵極線在訊框時間內進行一次充電至所述第一電位的動作；

當所述時脈信號由所述第一電位降至第二電位時，使所述柵極線在所述訊框時間內進行一次放電至所述第二電位的動作；以及

使用所述(N+2)級脈沖以將所述節點放電至公共接地端電壓。

5.如權利要求4所述的方法，其中所述第二晶體管的第二端用于輸出N級脈沖，且存在漏電路徑，自所述第二晶體管的第一端的所述脈沖信號放電至所述第二晶體管的第一端的所述N級脈沖，并繼而由所述第一晶體管放電至所述第三晶體管的所述公共接地端電壓，

所述第一至第三晶體管均為薄膜晶體管，所述第一端、所述第二端與所述控制端分別為漏極、源極與柵極，所述第一電位為柵極高電位，所述第二電位為柵極低電位，所述第一與所述第三晶體管的各自的柵源極電壓均大于零，

所述移位暫存器還包括各具有第一端、第二端與控制端的第四與第五晶體管，所述第四晶體管的第二端電連接于所述第一晶體管的控制端，所述第四晶體管的第一端接收啟動脈沖或(N-1)級脈沖，且電連接所述第四晶體管的控制端，所述第五晶體管的第一端電連接于所述第四晶體管的第二端于第二節點，所述第五晶體管的控制端接收所述時脈信號，所述第五晶體管的第二端接收所述公共接地點電壓，所述方法還包括步驟：在關斷狀態時期，使所述第二節點放電至所述公共接地點電壓，以使所述第一晶體管的柵源極電壓降至接近零，

所述第四與所述第五晶體管均為薄膜晶體管，且所述第一端、所述第二端與所述控制端分別為所述漏極、所述源極與所述柵極。