[發(fā)明專利]金屬氧化半導(dǎo)體P-N 接面二極管及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210007645.9
• 申請日: 2012-01-11
• 公開（公告）號: CN103208422A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙國梁;郭鴻鑫;蘇子川;陳美玲
• 申請（專利權(quán)）人: 英屬維京群島商節(jié)能元件股份有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329;H01L29/06;H01L29/861
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種具快速反應(yīng)速度的金屬氧化半導(dǎo)體P-N接面二極管的制作方法，該方法包含下列步驟：

提供一半導(dǎo)體基板；

進(jìn)行第一次離子注入制作工藝并進(jìn)行熱驅(qū)入，以于該半導(dǎo)體基板中形成一環(huán)形邊緣層；

在該半導(dǎo)體基板上形成一掩模層；

在該半導(dǎo)體基板和該環(huán)形邊緣層的表面上形成一柵極氧化層，并于該柵極氧化層和該掩模層的表面上形成一多晶硅結(jié)構(gòu)，且于該多晶硅結(jié)構(gòu)的表面上形成一多晶硅氧化層；

對該多晶硅氧化層、該多晶硅結(jié)構(gòu)和該柵極氧化層進(jìn)行蝕刻并進(jìn)行第二次離子注入制作工藝，以形成一中心導(dǎo)接層；

進(jìn)行第三次離子注入制作工藝，以在該中心導(dǎo)接層的側(cè)面形成一通道區(qū)域；

在該中心導(dǎo)接層的部分表面上形成一氮化硅層；

在該掩模層、該多晶硅氧化層、該環(huán)形邊緣層、該中心導(dǎo)接層和該氮化硅層所露出的表面上形成一金屬蒸鍍層；

對該金屬蒸鍍層進(jìn)行擴(kuò)散處理，以將該金屬蒸鍍層的材料擴(kuò)散至該環(huán)形邊緣層和該中心導(dǎo)接層的內(nèi)部而形成一金屬擴(kuò)散層后，移除該金屬蒸鍍層；

移除該多晶硅氧化層，并在該掩模層、該多晶硅結(jié)構(gòu)、該環(huán)形邊緣層、該中心導(dǎo)接層和該氮化硅層所露出的表面上形成一金屬濺鍍層；以及

對該金屬濺鍍層進(jìn)行蝕刻，以將該掩模層的部分表面加以露出。

2.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化半導(dǎo)體P-N接面二極管制作方法，其中該半導(dǎo)體基板包含一高摻雜濃度(N+型)的硅基板與一低摻雜濃度(N-型)的外延層。

3.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化半導(dǎo)體P-N接面二極管制作方法，其中該方法包含下列步驟：

在該半導(dǎo)體基板的表面上形成一第一氧化層；

在該第一氧化層上形成一第一光致抗蝕劑層，且定義該第一光致抗蝕劑層具有一第一光致抗蝕劑圖案；

根據(jù)該第一光致抗蝕劑圖案對該第一氧化層進(jìn)行蝕刻，以將該第一光致抗蝕劑圖案轉(zhuǎn)移至該第一氧化層上，并移除蝕刻后的該第一光致抗蝕劑層；

在該半導(dǎo)體基板所露出的表面上形成一第二氧化層并進(jìn)行所述的第一次離子注入制作工藝；

在該第一氧化層的部分表面上形成一第二光致抗蝕劑層，且定義該第二光致抗蝕劑層具有一第二光致抗蝕劑圖案；以及

根據(jù)該第二光致抗蝕劑圖案對該第一氧化層和該第二氧化層進(jìn)行蝕刻，以將該第二光致抗蝕劑圖案轉(zhuǎn)移至該第一氧化層上而形成該掩模層，并移除蝕刻后的該第二光致抗蝕劑層。

4.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化半導(dǎo)體P-N接面二極管制作方法，其中該方法包含下列步驟：

在該多晶硅氧化層上形成一第三光致抗蝕劑層，且定義該第三光致抗蝕劑層具有一第三光致抗蝕劑圖案；以及

根據(jù)該第三光致抗蝕劑圖案對該多晶硅氧化層、該多晶硅結(jié)構(gòu)和該柵極氧化層進(jìn)行蝕刻，以將該第三光致抗蝕劑圖案轉(zhuǎn)移至該多晶硅氧化層、該多晶硅結(jié)構(gòu)和該柵極氧化層上，并移除蝕刻后的該第三光致抗蝕劑層。

5.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化半導(dǎo)體P-N接面二極管制作方法，其中該多晶硅結(jié)構(gòu)以化學(xué)氣相沉積制作工藝于該柵極氧化層和該掩模層的表面上形成。

6.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化半導(dǎo)體P-N接面二極管制作方法，其中該方法包含下列步驟：

進(jìn)行化學(xué)氣相沉積制作工藝，而于該掩模層、該多晶硅氧化層、該多晶硅結(jié)構(gòu)、該柵極氧化層、該環(huán)形邊緣層和該中心導(dǎo)接層所露出的表面上形成一沉積層；以及

對該沉積層進(jìn)行蝕刻，以露出該掩模層的表面、并露出該多晶硅氧化層、該環(huán)形邊緣層和該中心導(dǎo)接層的部分表面，而形成該氮化硅層。

7.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化半導(dǎo)體P-N接面二極管制作方法，其中該方法包含下列步驟：

在該掩模層、該多晶硅結(jié)構(gòu)、該環(huán)形邊緣層、該中心導(dǎo)接層和該氮化硅層所露出的表面上進(jìn)行金屬濺鍍制作工藝，以形成一第一金屬層；

進(jìn)行快速熱制作工藝，以修正金屬濺鍍制作工藝的結(jié)果；以及

在該第一金屬層上進(jìn)行金屬濺鍍制作工藝，以形成一第二金屬層，而該第一金屬層和該第二金屬層構(gòu)成為該金屬濺鍍層。