[發明專利]用于半導體激光器列陣的熱膨脹系數可調節焊料有效
| 申請號： | 201210007630.2 | 申請日： | 2012-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN103205710A | 公開（公告）日： | 2013-07-17 |
| 發明（設計）人： | 程東明 | 申請（專利權）人： | 鄭州大學 |
| 主分類號： | C23C14/14 | 分類號： | C23C14/14;C23C14/35;C23C14/58;C22C1/00 |
| 代理公司： | 鄭州中原專利事務所有限公司 41109 | 代理人： | 霍彥偉 |
| 地址： | 450001 *** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 半導體激光器 列陣 熱膨脹 系數 調節 焊料 | ||
【權利要求書】：
1.?一種用于半導體激光器列陣的熱膨脹系數可調節焊料，其特征在于是按照下述步驟進行的：
A、在熱沉上制作錫層、在錫層上鍍金層、在金層上鍍上負膨脹層，其中金、錫、負膨脹層材料的質量比依次為4:1:0.5~1；
B、將步驟A中得到的材料在50~100℃退火1~15分鐘。
2.?根據權利要求1所述的用于半導體激光器列陣的熱膨脹系數可調節焊料，其特征在于是按照下述方法制備的：在步驟A中得到的負膨脹材料上依次鍍上錫層、金層和負膨脹層，重復這個過程直至得到相應厚度的焊料，再進行步驟B。
3.?根據權利要求1~2之一所述的用于半導體激光器列陣的熱膨脹系數可調節焊料，其特征在于：所述金、錫、負膨脹材料的質量比依次為4:1:1。
4.?根據權利要求1~2之一所述的用于半導體激光器列陣的熱膨脹系數可調節焊料，其特征在于：所述錫層、金層采用熱蒸發或磁控濺射方法制備，所述負膨脹層采用磁控濺射方法制備。
5.?根據權利要求1~2之一所述的用于半導體激光器列陣的熱膨脹系數可調節焊料，其特征在于：所述負膨脹層采用的負膨脹材料是NiTi基合金或者FeNiCo合金。
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