[發明專利]一種讀靈敏放大器比較電路

有效

• 申請號: 201210007613.9
• 申請日: 2012-01-11
• 公開（公告）號: CN103208300A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 丁沖;劉銘;范東風
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 栗若木;曲鵬

1.一種讀靈敏放大器比較電路，包括：比較器；存儲器單元電路、鉗位電路、第一、第二鉗位電路、第一、第二電流轉換電壓電路；

其特征在于，還包括：

第一電流源產生電路，輸出端連接所述第一鉗位電路及存儲器單元電路；

第二電流源產生電路，輸出端連接所述第二鉗位電路及參考單元電路；

所述第一電流轉換電壓電路連接在地和第一鉗位電路之間，所述第二電流轉換電壓電路連接在地和第二鉗位電路之間；

所述比較器的一個輸入端連接所述第一電流轉換電壓電路和所述第一鉗位電路之間的連接點，另一個輸入端連接所述第二電流轉換電壓電路和所述第二鉗位電路的連接點。

2.如權利要求1所述的讀靈敏放大器比較電路，其特征在于，所述第一鉗位電路包括：

第一鉗位管、用于為所述第一鉗位管提供偏置電壓的第一偏置電路；

所述第一鉗位管為一P型MOS管，該P型MOS管的柵極連接所述第一偏置電路，源極連接所述第一電流源產生電路的輸出端，漏極連接所述第一電流轉換電壓電路。

3.如權利要求2所述的讀靈敏放大器比較電路，其特征在于，所述第一偏置電路包括：

一個P型MOS管和一個N型MOS管，該P型MOS管和N型MOS管的共漏點連接所述第一鉗位管的柵極；

所述P型MOS管的源極接高電平，柵極連接第一偏置電壓；

所述N型MOS管的源極接地，柵極連接所述第一鉗位管的源極。

4.如權利要求2所述的讀靈敏放大器比較電路，其特征在于：

所述第一電流轉換電壓電路為連接在所述第一鉗位管漏極和地之間的第一負載。

5.如權利要求4所述的讀靈敏放大器比較電路，其特征在于：

所述第一負載包括一個二極管連接形式的N型MOS管；該第一負載中的N型MOS管的源極接地，漏極和柵極與所述第一鉗位管的漏極相連。

6.如權利要求1所述的讀靈敏放大器比較電路，其特征在于，所述第二鉗位電路包括：

第二鉗位管、用于為所述第二鉗位管提供偏置電壓的第二偏置電路；

所述第二鉗位管為一P型MOS管，該P型MOS管的柵極連接所述第二偏置電路，源極連接所述第二電流源產生電路的輸出端，漏極連接所述第二電流轉換電壓電路。

7.如權利要求6所述的讀靈敏放大器比較電路，其特征在于，所述第二偏置電路包括：

一個P型MOS管和一個N型MOS管，該P型MOS管和N型MOS管的共漏點連接所述第二鉗位管的柵極；

所述P型MOS管的源極接高電平，柵極連接第二偏置電壓；

所述N型MOS管的源極接地，柵極連接所述第二鉗位管的源極。

8.如權利要求6所述的讀靈敏放大器比較電路，其特征在于：

所述第二電流轉換電壓電路為連接在所述第二鉗位管漏極和地之間的第二負載。

9.如權利要求8所述的讀靈敏放大器比較電路，其特征在于：

所述第二負載包括一個二極管連接形式的N型MOS管；該第二負載中的N型MOS管的源極接地，漏極和柵極與所述第二鉗位管的漏極相連。

10.如權利要求1到9中任一項所述的讀靈敏放大器比較電路，其特征在于：

所述第一鉗位電路用于將所述第一電流源產生電路的輸出端的電壓鉗位在0.8V～1.2V之間；所述第二鉗位電路用于將所述第二電流源產生電路的輸出端的電壓鉗位在0.8V～1.2V之間。

11.如權利要求1到9中任一項所述的讀靈敏放大器比較電路，其特征在于，所述存儲器單元電路包括：

行譯碼電路、列譯碼電路、連接在列譯碼電路和地之間的電容；

存儲器單元，為一浮柵型MOS存儲器件，控制柵極連接所述行譯碼電路，源極接地，漏極通過所述列譯碼電路連接所述第一鉗位電路、第一電流源產生電路及所述電容；

所述參考單元電路包括：

參考單元，為一浮柵型MOS存儲器件，源極接地，控制柵極連接行參考電壓；

列譯碼管，為一N型MOS管，源極與所述參考單元的漏極相連，柵極連接列參考電壓，漏極連接所述第二鉗位電路及第二電流源產生電路。

12.如權利要求1到9中任一項所述的讀靈敏放大器比較電路，其特征在于，所述第一、第二電流源產生電路各包括：

一個P型MOS管，柵極連接第三偏置電壓，源極連接電壓源，漏極作為輸出端。