[發(fā)明專利]用于電子設(shè)備的尺寸穩(wěn)定的含氟聚合物膜

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210007588.4
• 申請(qǐng)日: 2012-01-11
• 公開（公告）號(hào): CN103205073A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖蓉;毛學(xué)圃;尹廣軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杜邦公司
• 主分類號(hào): C08L27/18
• 分類號(hào): C08L27/18;C08K3/36;B32B9/04;B32B27/18
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 苗征;于輝

1.具有改善的尺寸穩(wěn)定性的膜，其包含：

(a)90重量％-99.9重量％的四氟乙烯和全氟(烷基乙烯基醚)的共聚物PFA，和

(b)0.1重量％-10重量％的無(wú)定形二氧化硅顆粒或無(wú)定形二氧化硅顆粒和膠體二氧化硅的混合物，

其中所述無(wú)定形二氧化硅顆粒的比表面積為50-400m²/g，所述膜在200℃加熱30分鐘后的收縮率小于2.5％，并且所述重量％是基于干膜的總重量。

2.權(quán)利要求1所述的膜，其中所述全氟(烷基乙烯基醚)是全氟(乙基乙烯基醚)、全氟(丙基乙烯基醚)或全氟(甲基乙烯基醚)。

3.多層制品，其包含權(quán)利要求1所述的膜和至少一個(gè)透明導(dǎo)電氧化物層，其中權(quán)利要求1所述的膜的厚度為5μm-60μm，并且在360-740nm的范圍內(nèi)的透光率為至少55％。

4.權(quán)利要求3所述的多層制品，其中所述透明導(dǎo)電氧化物層包含銦錫氧化物ITO、氟摻雜錫氧化物FTO、鋁摻雜氧化鋅AZO、碳納米管網(wǎng)絡(luò)、石墨烯網(wǎng)絡(luò)或包含聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)及其衍生物的聚合物網(wǎng)絡(luò)。

5.電子設(shè)備，其包括權(quán)利要求1所述的膜和電子電路。

6.權(quán)利要求5所述的電子設(shè)備，其是光伏模塊、電子顯示器設(shè)備或半導(dǎo)體設(shè)備。

7.權(quán)利要求5所述的電子設(shè)備，其中權(quán)利要求1所述的膜的厚度為5μm-60μm，并且在360-740nm的范圍內(nèi)的透光率為至少55％。

8.權(quán)利要求5所述的電子設(shè)備，其是薄膜光伏模塊，其中所述電子電路是太陽(yáng)能電池，權(quán)利要求1所述的膜上沉積有至少一層透明導(dǎo)電氧化物層，并且所述透明導(dǎo)電氧化物層與所述太陽(yáng)能電池相接觸。

9.權(quán)利要求8所述的電子設(shè)備，其中其上沉積有至少一層透明導(dǎo)電氧化物層的權(quán)利要求1所述的膜就是權(quán)利要求3所述的多層制品。

10.制備權(quán)利要求1所述的膜的方法，其包括：

i.提供熔點(diǎn)高于450℃的支撐片；

ii.將涂覆組合物涂覆于所述支撐片上而形成膜覆片；

iii.將所述膜覆片在80-120℃下干燥5-20分鐘；

iv.將所述膜覆片在300-450℃下烘烤10-60分鐘；

v.任選地，重復(fù)步驟ii-iv而得到厚度為5-60μm的干膜；和

vi.將干膜與所述支撐片分離。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述步驟ii的涂覆組合物包含：

(a)30重量％-65重量％的四氟乙烯和全氟(烷基乙烯基醚)的共聚物；

(b)0.1重量％-5重量％的無(wú)定形二氧化硅顆粒或無(wú)定形二氧化硅顆粒和膠體二氧化硅的混合物，其中所述無(wú)定形二氧化硅顆粒的比表面積為50-400m²/g；

(c)2重量％-15重量％的非離子型表面活性劑；

(d)0-10重量％的其他添加劑；和

(e)余量的水；

其中所述重量％基于所述涂覆組合物的總重量。

12.制備權(quán)利要求3所述的多層制品的方法，其包括：

1)提供權(quán)利要求1所述的膜；和

2)通過(guò)化學(xué)氣相沉積、濺射或旋涂在所述膜上形成透明導(dǎo)電氧化物層。

13.權(quán)利要求1所述的膜用于光伏模塊作為基板的用途，其中所述膜在200℃加熱30分鐘后的收縮率小于2.5％，所述膜的厚度為5μm-60μm，并且在360-740nm的范圍內(nèi)的透光率為至少55％。