[發明專利]圖像傳感器及源跟隨器

有效

• 申請號: 201210007542.2
• 申請日: 2012-01-11
• 公開（公告）號: CN102522417A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 霍介光;趙立新;李杰
• 申請（專利權）人: 格科微電子(上海)有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H03F3/50
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種圖像傳感器，包括：

光電二極管，用于感應光強變化而生成相應的圖像電荷信號；

轉移晶體管，用于轉移所述圖像電荷信號；

源跟隨晶體管，用于基于所轉移的圖像電荷信號生成電壓信號，其中，所述源跟隨晶體管是埋溝PMOS晶體管。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述源跟隨晶體管包括：

P型襯底；

N型阱，其位于所述P型襯底中；

柵極，其位于所述N型阱上；

源區與漏區，其分別位于所述柵極兩側，其中所述源區位于所述N型阱中，而所述漏區至少部分地位于所述N型阱中；

P型摻雜層與N型摻雜層，其自上而下依次位于所述源區與所述漏區之間的所述柵極下方的所述N型阱中。

3.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，所述源跟隨晶體管的所述漏區至少部分地位于所述N型阱外。

4.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，所述源跟隨晶體管還包括N型重摻雜區，其位于所述N型阱中以將所述N型阱從所述P型襯底中電引出。

5.根據權利要求4所述的圖像傳感器，其特征在于，所述N型重摻雜區與所述源區電連接。

6.根據權利要求5所述的圖像傳感器，其特征在于，所述N型重摻雜區與所述源區相鄰。

7.根據權利要求6所述的圖像傳感器，其特征在于，所述源跟隨晶體管還包括金屬硅化物層，其位于所述N型重摻雜區與所述源區上以電連接所述N型重摻雜區與所述源區。

8.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其特征在于，所述源跟隨晶體管的柵極耦接至所述轉移晶體管的漏極，所述源跟隨晶體管的漏區耦接至參考電位線，而所述源跟隨晶體管的源區用于輸出所述電壓信號。

9.一種源跟隨器，其特征在于，包括源跟隨晶體管與偏置電流源，其中：所述源跟隨晶體管是埋溝PMOS晶體管，其柵極用于接收輸入信號；其漏區耦接至參考電位線；其源區耦接至偏置電流源以獲取偏置電流，并用于輸出電壓信號。

10.根據權利要求9所述的源跟隨器，其特征在于，所述源跟隨晶體管包括：

P型襯底；

N型阱，其位于所述P型襯底中；

柵極，其位于所述N型阱上；

源區與漏區，其分別位于所述柵極兩側，其中所述源區位于所述N型阱中，而所述漏區至少部分地位于所述N型阱中；

P型摻雜層與N型摻雜層，其自上而下依次位于所述源區與所述漏區之間的所述柵極下方的所述N型阱中。

11.根據權利要求10所述的源跟隨器，其特征在于，所述源跟隨晶體管的所述漏區至少部分地位于所述N型阱外。

12.根據權利要求10所述的源跟隨器，其特征在于，所述源跟隨晶體管還包括N型重摻雜區，其位于所述N型阱中以將所述N型阱從所述P型襯底中電引出。

13.根據權利要求12所述的源跟隨器，其特征在于，所述N型重摻雜區與所述源區電連接。

14.根據權利要求13所述的源跟隨器，其特征在于，所述N型重摻雜區與所述源區相鄰。

15.根據權利要求14所述的源跟隨器，其特征在于，所述源跟隨晶體管還包括金屬硅化物層，其位于所述N型重摻雜區與所述源區上以電連接所述N型重摻雜區與所述源區。