[發(fā)明專利]用GTEM小室測試電小尺寸散射體反向散射截面的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210007525.9 | 申請日： | 2012-01-11 |
| 公開（公告）號： | CN102565552A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李書芳;洪衛(wèi)軍;陳志雨;邢曙光;劉曉陽;王明陽;陳喬 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京郵電大學(xué) |
| 主分類號： | G01R29/08 | 分類號： | G01R29/08 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100876 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | gtem 小室 測試 尺寸 散射 反向 截面 方法 | ||
1.一種用GTEM小室測試電小尺寸散射體反向散射截面的方法，其特征在于，包括步驟：
A.連接GTEM小室前端口和矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀；
B.在所選定的頻率上，測量得到GTEM小室在沒有放置待測散射體時的S11值；
C.將待測散射體擺放在GTEM小室中的特制非金屬轉(zhuǎn)臺上；
D.在所選定的頻率上，測量得到GTEM小室在放置待測散射體時的S′11值；
E.用本方法所提出的公式1計算出此待測電小尺寸散射體的反向散射截面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用GTEM小室測試電小尺寸散射體反向散射截面的方法，其特征在于，所述的待測散射體放置在所述GTEM小室的中板與底板之間的1/3～2/3區(qū)域內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用GTEM小室測試電小尺寸散射體反向散射截面的方法，其特征在于，特定轉(zhuǎn)臺是由非金屬材料構(gòu)成的，它可以沿X、Y、Z軸做360度旋轉(zhuǎn)，通過旋轉(zhuǎn)，可以測試待測散射體任意方向的反向散射截面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用GTEM小室測試電小尺寸散射體反向散射截面的方法，其特征在于，得到待測散射體的返回功率后，通過本方法給出的公式1計算反向散射截面：
公式1
式中，σ為待測散射體的反向散射截面，k0＝2πf/c，f為讀寫器發(fā)送信號的載頻頻率，c為光速。e0y是位于標(biāo)簽原點處的零階模式場：
y1為輻射體局部坐標(biāo)原點離GTEM小室底板的高度，a和h分別為GTEM小室輻射體局部坐標(biāo)原點正下方底板的半寬度和中板到底板的高度，g為該處中板與側(cè)板的間?隙距離，Z0為GTEM小室的特性阻抗，J0為0階第一類貝塞爾函數(shù)，Г為GTEM小室前端口電壓反射系數(shù)，其表達(dá)式為：
Г＝|S′11-S11|
S′11為GTEM小室在放置待測散射體時由矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測得，S11為GTEM小室在未放置待測散射體時由矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀測得。?
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