[發明專利]一種低介電常數壓敏電阻材料及其制備方法無效
| 申請號： | 201210007305.6 | 申請日： | 2012-01-11 |
| 公開（公告）號： | CN102557612A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 王小波;馮志剛;賈廣平 | 申請（專利權）人： | 深圳順絡電子股份有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/453 | 分類號： | C04B35/453 |
| 代理公司： | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀純 |
| 地址： | 518110 廣東省深*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 介電常數 壓敏電阻 材料 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種低介電常數壓敏電阻材料，其特征在于包括：
90~97%的ZnO；
0.1~3%的Bi2O3；
0.1~3%的Sb2O3；
0.1~2%的Cr2O3；
0.1~1.5%的MnO2或MnCO3；
0.1~1.5%的Co2O3；
0.1~1%的Ni2O3或NiO；
0.1~0.8%的H3BO3或B2O3；?
0.001~0.8%的AgNO3；
0.001-0.3%的Al2(NO3)3.9H2O；
前述的百分比均為摩爾比。
2.根據權利要求1所述的低介電常數壓敏電阻材料，其特征在于，還包括：摩爾比為0.1%~2%的SiO2。
3.根據權利要求1或2所述的低介電常數壓敏電阻材料，其特征在于，還包括：摩爾比為0.1~1.5%的MgO。
4.根據權利要求1所述的低介電常數壓敏電阻材料，其特征在于：所述AgNO3和Al2(NO3)3.9H2O均按配比先溶解于去離子水或乙醇中，然后以此溶液的方式加入剩余組分中。
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