[發明專利]熒光轉換體、轉換體制備方法及熒光轉換體制成的LED

無效

• 申請號: 201210007172.2
• 申請日: 2012-01-11
• 公開（公告）號: CN102559176A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 黃金昭;梁偉;徐錫金;邵明輝
• 申請（專利權）人: 濟南大學
• 主分類號: C09K11/59
• 分類號: C09K11/59;H01L33/50
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司 37205
• 代理人: 秦雯

1.一種熒光轉換體，其特征在于：所述熒光轉換體包括紅色氮化物熒光轉換體和綠色氮氧化物熒光轉換體，所述紅色氮化物熒光轉換體峰值發射波長600?nm-650?nm，所述綠色氮氧化物熒光轉換體峰值發射波長530?nm-580?nm。

2.按照權利要求1所述的熒光轉換體，其特征在于：所述紅色氮化物熒光轉換體化學式為：M₅Si₂N₆:D，所述綠色氮氧化物熒光轉換體化學式為M₃Si₂O₄N₂:D，其中M為Sr,?Ba,?Ca中的一種或幾種，D為Eu²⁺或Ce³⁺。

3.按照權利要求1或2所述的熒光轉換體制備方法，其特征在于：所述熒光轉換體制備方法包括紅色氮化物熒光轉換體和綠色氮氧化物熒光轉換體制備方法，其中，所述紅色氮化物熒光轉換體制備方法步驟是：

（11）以A_?3N₂、Si₃N₄、Eu₂O₃為原料，按化學計量比取原料，然后均勻混料，真空干燥；

（12）將上述步驟后所得的原料在有助燃劑的情況下，在氮氣氛中進行高溫煅燒；

（13）將所述煅燒后的產物進行后處理，得到所述紅色氮化物熒光轉換體；

所述綠色氮氧化物熒光轉換體制備方法步驟是：

（21）以ACO₃、Si₃N₄、SiO₂、Eu₂O₃為原料，按化學計量比取原料，然后均勻混料，真空干燥；

（22）將上述步驟后所得的原料在有助燃劑的情況下，在氮氣氛中進行高溫煅燒；

（23）將所述煅燒后的產物進行后處理，得到所述綠色氮氧化物熒光轉換體;A為Ca、Sr或Ba。

4.按照權利要求3所述的熒光轉換體制備方法，其特征在于：所述高溫煅燒煅燒溫度在1400℃-1600℃之間。

5.按照權利要求2所述的熒光轉換體制備方法，其特征在于：所述后處理包括粉碎、除雜、烘干、分級。

6.一種由熒光轉換體制成的LED，其特征在于：所述LED包括模具，設置在所述模具內的InGaN藍芯片和同樣設置在所述模具內的按照比例混合的環氧樹脂與發光材料，其中，環氧樹脂為80-90%，發光材料為10-20%，所述百分比為重量百分比。

7.按照權利要求5所述的熒光轉換體制成的LED，其特征在于：所述發光材料包括紅色氮化物熒光轉換體和綠色氮氧化物熒光轉換體。

8.按照權利要求6或7所述的熒光轉換體制成的LED，其特征在于：所述發光體中紅色氮化物熒光轉換體和綠色氮氧化物熒光轉換體混合比例與所述InGaN藍芯片波長和亮度，由混色公式計算決定。

9.按照權利要求8所述的熒光轉換體制成的LED，其特征在于：對封裝后的LED施以電流后，發光體和所述InGaN藍芯片發出的光混合后為白光，所述電流的大小以所述LED正常發光為準。

10.按照權利要求6或7所述的熒光轉換體制成的LED，其特征在于：所述InGaN藍芯片峰值發射波長為430?nm-500?nm。