[發明專利]薄膜晶體管陣列基板、其制造方法、及液晶顯示裝置有效
| 申請號： | 201210007092.7 | 申請日： | 2010-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN102540605A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 永野慎吾;升谷雄一 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | G02F1/1362 | 分類號： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 毛立群;朱海煜 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 薄膜晶體管 陣列 制造 方法 液晶 顯示裝置 | ||
1.一種薄膜晶體管陣列基板，具有薄膜晶體管，其中，具有：
柵極布線，在基板上形成，與所述薄膜晶體管的柵極電極連接；
柵極絕緣膜，覆蓋所述柵極電極和所述柵極布線；
源極布線，在所述柵極絕緣膜上形成，與所述薄膜晶體管的源極電極連接；
半導體層，在所述柵極絕緣膜上形成，在所述薄膜晶體管的漏極電極下的整個面、所述源極電極下的整個面、所述源極布線下的整個面、以及所述柵極電極的對面配置；
像素電極，在所述漏極電極上直接重疊形成，與所述漏極電極電連接；
透明導電圖案，在所述源極電極和所述源極布線上，通過與所述像素電極相同的層而直接重疊形成；
層間絕緣膜，覆蓋所述像素電極和所述透明導電圖案；以及
對置電極，在所述層間絕緣膜上形成，在與所述像素電極之間使邊緣電場產生，
所述像素電極和所述透明導電圖案在與所述柵極電極對置的位置中，以在俯視中配置于所述半導體層的圖案內側的方式形成。
2.一種薄膜晶體管陣列基板，具有薄膜晶體管，其中，具有：
柵極布線，在基板上形成，與所述薄膜晶體管的柵極電極連接；
柵極絕緣膜，覆蓋所述柵極電極和所述柵極布線；
源極布線，在所述柵極絕緣膜上形成，與所述薄膜晶體管的源極電極連接；
半導體層，在所述柵極絕緣膜上形成，在所述薄膜晶體管的漏極電極下的整個面、所述源極電極下的整個面、所述源極布線下的整個面、以及所述柵極電極的對面配置；
像素電極，在所述漏極電極上直接重疊形成，與所述漏極電極電連接；
透明導電圖案，在所述源極電極和所述源極布線上，通過與所述像素電極相同的層而直接重疊形成；
層間絕緣膜，覆蓋所述像素電極和所述透明導電圖案；
對置電極，在所述層間絕緣膜上形成，在與所述像素電極之間使邊緣電場產生；以及
共同布線，在與所述柵極布線相同的層形成，
所述對置電極經由貫通所述柵極絕緣膜和所述層間絕緣膜的接觸孔而與所述共同布線電連接。
3.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述對置電極以與所述源極布線和所述源極布線上的所述透明導電圖案在固定的區域中重合的方式形成，與夾著所述源極布線而鄰接的像素的所述對置電極連接。
4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，與所述源極布線和所述源極布線上的所述透明導電圖案重合的區域的所述對置電極，以與所述源極布線和所述源極布線上的所述透明導電圖案的寬度相比寬度寬的方式形成。
5.根據權利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述對置電極在不與所述柵極布線和所述源極布線的交叉部以及所述薄膜晶體管重復的區域中形成。
6.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，所述對置電極以與夾著所述柵極布線而鄰接的像素的所述對置電極連接的方式形成。
7.根據權利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列基板，其中，還具有：歐姆接觸膜，在所述源極電極和所述半導體層之間、所述漏極電極和所述半導體層之間、以及所述源極布線和所述半導體層之間形成，
所述半導體層隔著所述歐姆接觸膜與所述源極電極和所述漏極電極電連接。
8.一種液晶顯示裝置，其中，具有：權利要求1或2所述的薄膜晶體管陣列基板。
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