[發明專利]多結太陽能電池及其制造方法無效
| 申請號: | 201210007015.1 | 申請日: | 2012-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN102593229A | 公開(公告)日: | 2012-07-18 |
| 發明(設計)人: | 王偉明;朱忻;楊軍 | 申請(專利權)人: | 朱忻 |
| 主分類號: | H01L31/0687 | 分類號: | H01L31/0687;H01L31/028;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 孫紀泉 |
| 地址: | 214213 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
1.一種多結太陽能電池,包括:
由砷化鎵(GaAs)子電池和磷化鎵銦(GaInP)子電池構成的雙結電池,并且GaAs子電池上具有第一金屬圖案;
Si子電池,其具有第二金屬圖案,所述第二金屬圖案與所述第一金屬圖案至少部分對應;
通過機械壓合由所述第一金屬圖案與所述第二金屬圖案構成的導電粘結層,所述導電粘結層使所述Si子電池與所述GaAs子電池形成導電連接。
2.根據權利要求1所述的多結太陽能電池,其中
所述第一或第二金屬圖案的金屬材料包括鋁(Al)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鍺(Ge)、金(Au)、銀(Ag)、鋅(Zn)、鉻(Cr)、鈀(Pd)、銦(In)、錫(Sn)、鉑(Pt)、鉭(Ta)、鈮(Nb)以及它們任何兩種材料或兩種以上材料的合金。
3.一種多結太陽能電池制造方法,包括:
形成由GaAs子電池和GaInP子電池構成的雙結電池;
形成Si子電池;
在GaAs子電池上形成第一金屬圖案;
在Si子電池上形成第二金屬圖案,所述第二金屬圖案與所述第一金屬圖案至少部分對應;
機械壓合步驟:將所述第一金屬圖案與所述第二金屬圖案對準,通過機械壓合使所述第一金屬圖案與所述第二金屬圖案形成導電粘結層,所述導電粘結層使所述Si子電池與所述GaAs子電池形成導電連接。
4.根據權利要求3所述的方法,其中形成由GaAs子電池和GaInP子電池構成的雙結電池包括:
在GaAs襯底上形成犧牲層;
在所述犧牲層上形成GaInP子電池;
在所述GaInP子電池上形成GaAs子電池;
通過蝕刻去除所述犧牲層。
5.根據權利要求4所述的方法,其中所述犧牲層為MgS層在中間而ZnSe層在上下兩側的三明治結構。
6.根據權利要求4所述的方法,其中通過蝕刻去除所述犧牲層的步驟在所述機械壓合步驟之后。
7.根據權利要求3所述的方法,其中所述對準裝置為使用紅外線光源照明的光刻機或粘合機。
8.根據權利要求3所述的方法,其中向采用機械壓合的第一子電池和第二子電池之間填充折射率與所述第一和第二電池材料折射率匹配的材料。
9.一種異質結太陽能電池,包括:
第一子電池,其具有第一金屬圖案;
第二子電池,其具有第二金屬圖案,所述第二金屬圖案與所述第一金屬圖案至少部分對應;其中所述第一子電池和所述第二子電池對應不同的太陽光譜波段;
通過機械壓合由所述第一金屬圖案與所述第二金屬圖案構成的導電粘結層,所述導電粘結層使所述第一子電池與所述第二子電池形成導電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





