[發明專利]彎曲不敏感單模光纖

無效

• 申請號: 201210006792.4
• 申請日: 2012-01-10
• 公開（公告）號: CN102540327A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 張磊;吳儀溫;葉銘;毛明峰;王智勇;王瑞春;拉吉·馬泰
• 申請（專利權）人: 長飛光纖光纜有限公司
• 主分類號: G02B6/036
• 分類號: G02B6/036
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 胡建平

1.一種彎曲不敏感單模光纖，包括有芯層和包層，其特征在于芯層直徑a為7～7.9微米，芯層相對折射率差Δ₁為4.6×10^-3～6.5×10^-3，芯層外的包層從內到外依次為內包層、下陷外包層和外包層，內包層直徑b為16.5～20微米，內包層相對折射率差Δ₂為-3×10^-4～3×10^-4，下陷外包層直徑c為33～40微米，下陷外包層相對折射率差Δ₃為-2.9×10^-3～-7.3×10^-3，且相對折射率差Δ₃呈梯度變化，從外至內逐漸增大，最外界面處相對折射率差Δ₃₂小于最內界面處相對折射率差Δ₃₁。

2.按權利要求1所述的彎曲不敏感單模光纖，其特征在于在下陷外包層外包覆外包層，外包層直徑為125±0.7微米，外包層的折射率為純二氧化硅玻璃折射率。

3.按權利要求1或2所述的彎曲不敏感單模光纖，其特征在于所述的芯層為摻鍺和氟的石英玻璃層，材料組分為SiO₂-GeO₂-F-Cl，其中氟的貢獻量ΔF為1×10^-3～1.6×10^-3。

4.按權利要求1或2所述的彎曲不敏感單模光纖，其特征在于所述的內包層為摻鍺和氟的石英玻璃層，材料組分為SiO₂-GeO₂-F-Cl，內包層從最外界面至最內界面，摻氟和摻鍺逐漸連續增加，呈梯度變化，在最外界面處氟的貢獻量ΔF為1.2×10^-3～1.6×10^-3，在最內界面處氟的貢獻量ΔF為2.1×10^-3～2.4×10^-3。

5.按權利要求1或2所述的彎曲不敏感單模光纖，其特征在于所述的光纖在1310納米波長處的模場直徑為7-9.2微米。

6.按權利要求1或2所述的彎曲不敏感單模光纖，其特征在于所述的光纖在1310納米波長處的衰減系數小于或等于0.4dB/km，1383nm波長處的衰減系數小于或等于0.4dB/km，1550nm波長處的衰減系數小于或等于0.25dB/km，1625nm波長處的衰減系數小于或等于0.3dB/km。

7.按權利要求1或2所述的彎曲不敏感單模光纖，其特征在于所述的光纖具有小于或等于1260nm的光纜截止波長。

8.按權利要求1或2所述的彎曲不敏感單模光纖，其特征在于所述的光纖在1625nm波長處，對于圍繞10毫米彎曲半徑繞1圈彎曲附加損耗小于或等于0.1dB；對于圍繞7.5毫米彎曲半徑繞1圈彎曲附加損耗小于或等于0.25dB；對于圍繞5毫米彎曲半徑繞1圈彎曲附加損耗小于或等于0.45dB；在1550nm波長處，對于圍繞10毫米彎曲半徑繞1圈彎曲附加損耗小于或等于0.03dB；對于圍繞7.5毫米彎曲半徑繞1圈彎曲附加損耗小于或等于0.08dB；對于圍繞5毫米彎曲半徑繞1圈彎曲附加損耗小于或等于0.15dB。