[發明專利]一種控制先驅體晶粒度制備FeS2薄膜的方法

無效

• 申請號: 201210006606.7
• 申請日: 2012-01-11
• 公開（公告）號: CN102560374A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 孟亮;王峰;汪牡丹
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C23C14/22
• 分類號: C23C14/22;C23C14/06;H01L31/18
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 林懷禹

1.一種控制先驅體晶粒度制備FeS₂薄膜的方法，其特征在于該方法的步驟如下：

1）在飽和鉻酸溶液中煮沸后用去離子水沖洗鍍膜基底；

2）再依次在丙酮、無水乙醇、去離子水中超聲波振蕩清洗，烘干；

3）將鍍膜基底置于磁控濺射設備中，采用不同溫度加熱鍍膜基底；

4）在鍍膜基底上濺射純Fe膜，通過調整濺射功率和時間濺射控制純Fe膜厚度后保溫；

5）將濺射得到的純Fe膜和純硫粉封裝于玻璃管中；

6）封裝后的純Fe膜經硫化處理形成FeS₂薄膜。

2.根據權利要求1所述的一種控制先驅體晶粒度制備FeS₂薄膜的方法，其特征在于：步驟1）中所述的鍍膜基底面積為26×76mm²的全透明載玻片。

3.根據權利要求1所述的一種控制先驅體晶粒度制備FeS₂薄膜的方法，其特征在于：步驟3）中所述的鍍膜基底加熱溫度為200～500℃。

4.根據權利要求1所述的一種控制先驅體晶粒度制備FeS₂薄膜的方法，其特征在于：步驟4）中所述的濺射控制純Fe膜厚度為0.25～0.3μm。

5.根據權利要求1所述的一種控制先驅體晶粒度制備FeS₂薄膜的方法，其特征在于：步驟5）中所述的封裝于玻璃管中純硫粉質量按照在400℃能夠產生80kPa的額定硫壓計算。

6.根據權利要求1所述的一種控制先驅體晶粒度制備FeS₂薄膜的方法，其特征在于：步驟6）中所述的純Fe膜經硫化處理的硫化溫度為400～500℃，硫化時間為10～40h。

7.根據權利要求1所述的一種控制先驅體晶粒度制備FeS₂薄膜的方法，其特征在于：從步驟1）至步驟4）所述的得到的純Fe膜的晶粒尺寸范圍在30～55nm。