[發(fā)明專利]一種AMOLED器件及制作方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210006389.1
• 申請(qǐng)日: 2012-01-10
• 公開（公告）號(hào): CN102655118A
• 公開（公告）日: 2012-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李延釗;王剛;王東方;姜春生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種AMOLED器件的制作方法，其特征在于，包括：

在基板的一面上形成多晶硅層；

對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行構(gòu)圖工藝處理，形成有源區(qū)和像素電極區(qū)；

通過構(gòu)圖工藝處理在所述有源區(qū)上形成柵絕緣層；

通過構(gòu)圖工藝處理在所述柵絕緣層上形成柵極，其中，所述柵極位于所述有源區(qū)上的柵絕緣層上；

以所述柵極為掩膜對(duì)所述有源區(qū)和像素電極區(qū)進(jìn)行摻雜工藝處理，以使所述有源區(qū)形成源極區(qū)、有源層、漏極區(qū)，使所述像素電極區(qū)形成像素電極層；

在源極區(qū)、漏極區(qū)通過制備源極金屬電極和漏極金屬電極形成源極、漏極；

通過薄膜沉積工藝在所述像素電極層對(duì)應(yīng)的所述像素界定層上形成OLED器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述基板上形成多晶硅層之前還包括：在基板上沉積緩沖層薄膜，并通過構(gòu)圖工藝形成緩沖層；

所述在基板上形成多晶硅層包括：

通過薄膜沉積工藝在所述緩沖層上形成非晶硅層；

對(duì)所述非晶硅層進(jìn)行晶化工藝處理形成多晶硅層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，對(duì)所述有源區(qū)和像素電極區(qū)進(jìn)行摻雜工藝處理包括：

對(duì)所述有源區(qū)和像素電極區(qū)進(jìn)行p摻雜或n摻雜工藝處理。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：

通過沉積工藝在所述柵極、源極、漏極上形成有鈍化層；

通過構(gòu)圖工藝在所述鈍化層及所述像素電極層上形成像素界定層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的制作方法，其特征在于，在所述像素電極層對(duì)應(yīng)的所述像素界定層上形成的OLED器件包括：

在形成有所述像素電極層對(duì)應(yīng)的所述像素界定層上制作空穴傳輸層；

在所述空穴傳輸層上形成發(fā)光層；

在所述發(fā)光層上形成電子傳輸層；

在所述電子傳輸層上制作OLED頂部電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述像素電極層對(duì)應(yīng)的所述像素界定層上形成的OLED器件還包括：在制作空穴傳輸層前在所述像素電極層對(duì)應(yīng)的所述像素界定層上制作空穴注入層；

在制作OLED頂部電極時(shí)，在電子傳輸層上制作電子注入層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4、6任一所述的制作方法，其特征在于，還包括：

在所述基板的另一面上涂布反射金屬層。

8.一種AMOLED器件，其特征在于，包括：

基板；

基板上具有源極區(qū)、有源層、漏極區(qū)和與所述漏極區(qū)連接的像素電極層，源極區(qū)、漏極區(qū)上分別具有源極金屬電極和漏極金屬電極形成的源極、漏極；

形成在所述源極區(qū)、有源層、漏極區(qū)上的柵絕緣層；

形成在所述柵絕緣層上的柵極；

形成在所述像素電極層上方的OLED器件層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的AMOLED器件，其特征在于，

在所述基板和所述源極區(qū)、有源層、漏極區(qū)以及像素電極層之間還包括緩沖層；

在所述像素電極層和OLED器件層之間還包括像素界定層。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的AMOLED器件，其特征在于，所述OLED器件層包括：空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、OLED頂部電極。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的AMOLED器件，其特征在于，

在所述基板的另一面上形成有金屬反射層。