[發(fā)明專利]一種具有超結結構的溝槽肖特基半導體裝置及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210006384.9 | 申請日： | 2012-01-06 |
| 公開（公告）號： | CN103199119B | 公開（公告）日： | 2017-05-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 朱江;盛況 | 申請（專利權）人： | 盛況 |
| 主分類號： | H01L29/872 | 分類號： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 杭州求是專利事務所有限公司33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310027 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 結構 溝槽 肖特基 半導體 裝置 及其 制備 方法 | ||
1.一種具有超結結構的溝槽肖特基半導體裝置，其特征在于：包括：
多個溝槽位于第一導電半導體材料表面；
溝槽內壁的表面設置有絕緣介質；
溝槽內下部設置有第二導電半導體材料，其與第一導電半導體材料形成電荷補償結構，溝槽內上部設置有金屬或高濃度雜質摻雜的第二導電半導體材料，溝槽內上部設置的金屬或高濃度雜質摻雜的第二導電半導體材料與溝槽側壁的絕緣介質和第一導電半導體材料構成MOS結構；
溝槽之間第一導電半導體材料上部為肖特基勢壘結；
半導體裝置上表面和下表面覆蓋有金屬，上表面金屬將肖特基勢壘結陽極與溝槽上部材料并聯(lián)，用于實現(xiàn)溝槽內上部和器件表面等電勢。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的絕緣介質層為二氧化硅。
3.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的溝槽內下部填充的第二導電半導體材料為具有雜質濃度輕摻雜的多晶半導體材料。
4.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的溝槽內上部填充的高濃度雜質摻雜第二導電半導體材料為具有高濃度雜質摻雜的多晶半導體材料。
5.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的溝槽內上部填充的高濃度雜質摻雜第二導電導體材料被用作導電的互連線。
6.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的溝槽內上部填充的金屬為電極金屬。
7.如權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：所述的半導體裝置接一定的反向偏壓時，溝槽內下部的第二導電半導體材料與溝槽之間的第一導電半導體材料形成電荷補償，形成超結結構。
8.如權利要求1所述的一種具有超結結構的溝槽肖特基半導體裝置的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：
1)在第一導電半導體材料襯底上的第一導電半導體材料漂移層的表面形成一種絕緣介質材料；
2)進行光刻腐蝕工藝，半導體材料表面去除部分絕緣介質材料，然后刻蝕，去除部分裸露半導體材料形成溝槽；
3)在溝槽內壁形成一種絕緣介質材料；
4)在溝槽內淀積第二半導體材料，然后進行第二半導體材料反刻蝕；
5)在溝槽內淀積高濃度雜質摻雜的第二半導體材料，然后進行第二半導體材料反刻蝕；
6)腐蝕去除表面絕緣介質；
7)在半導體材料表面淀積勢壘金屬，形成肖特基勢壘結。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
