[發(fā)明專利]一種選擇性發(fā)射極晶體硅太陽能電池的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210005715.7
• 申請日: 2012-01-09
• 公開（公告）號: CN102709378A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃惠東;陳永虹;賴江海;肖海東
• 申請（專利權(quán)）人: 南安市三晶陽光電力有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;B41M1/12
• 代理公司: 廈門市首創(chuàng)君合專利事務(wù)所有限公司 35204
• 代理人: 張松亭

1.一種選擇性發(fā)射極晶體硅太陽能電池的制備方法，對電池受光面的電極區(qū)域進(jìn)行重?fù)诫s擴(kuò)散，非電極區(qū)域進(jìn)行輕摻雜擴(kuò)散，其特征在于：在擴(kuò)散前利用絲網(wǎng)印刷、鍍膜和清洗處理，對電池受光面進(jìn)行選擇性的阻隔層制備，在高溫擴(kuò)散過程中一次性形成電極區(qū)重?fù)诫s，非電極區(qū)輕摻雜。

2.如權(quán)利要求1所述的一種選擇性發(fā)射極晶體硅太陽能電池的制備方法，包括如下步驟：

a)硅片表面織構(gòu)處理；

b)電池受光面第一次絲網(wǎng)印刷，將用于掩膜的漿料覆蓋在硅片受光表面需要制作電極的區(qū)域；

c)在硅片上鍍膜，覆蓋電池受光面；

d)鍍膜后的硅片進(jìn)行清洗，去除電極區(qū)域覆蓋的漿料及其上所鍍薄膜；

e)擴(kuò)散：一次性形成電極區(qū)重?fù)诫s，非電極區(qū)輕摻雜；

f)按常規(guī)太陽能電池生產(chǎn)工藝?yán)^續(xù)生產(chǎn)，包括刻蝕、清洗、鍍減反膜、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)。

3.如權(quán)利要求2所述的一種選擇性發(fā)射極晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：

步驟b)所用的掩膜漿料，成分為無機物、有機物或無機有機混合物。

4.如權(quán)利要求2所述的一種選擇性發(fā)射極晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：

步驟c)鍍膜的實現(xiàn)方式包括磁控濺射、電子束蒸發(fā)、PECVD、PVD、sol-gel、旋涂法。

5.如權(quán)利要求2所述的一種選擇性發(fā)射極晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：

步驟c)鍍膜的材質(zhì)包括α-SiN_x:H、Al₂O₃、SiO₂、非晶硅、微晶硅、TiO₂。

6.如權(quán)利要求2所述的一種選擇性發(fā)射極晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：

步驟c)鍍膜厚度在5nm-500um之間。

7.如權(quán)利要求2所述的一種選擇性發(fā)射極晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：步驟e)擴(kuò)散工藝形成的方塊電阻在20-400Ω，包括雙面或單面擴(kuò)散。

8.如權(quán)利要求2所述的一種選擇性發(fā)射極晶體硅太陽能電池的制備方法，其特征在于：

步驟f)電池受光面第二次絲網(wǎng)印刷制備金屬化電極時，使金屬化電極與步驟b)第一次絲網(wǎng)印刷掩膜印刷圖形重疊。?