[發明專利]半導體結構及形成半導體結構的方法有效
| 申請號： | 201210005700.0 | 申請日： | 2012-01-09 |
| 公開（公告）號： | CN103050511A | 公開（公告）日： | 2013-04-17 |
| 發明（設計）人： | 姚福偉;許竣為;游承儒;余俊磊;楊富智;熊志文 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/10 | 分類號： | H01L29/10;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京德恒律師事務所 11306 | 代理人： | 陸鑫;房嶺梅 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 形成 方法 | ||
1.一種半導體結構，包括：
第一III-V族化合物層；
第二III-V族化合物層，所述第二III-V族化合物層設置在所述第一III-V族化合物層上，并且在組成上與所述第一III-V族化合物層不同，其中，載流子溝道位于所述第一III-V族化合物層和所述第二III-V族化合物層之間；
源極部件和漏極部件，所述源極部件和所述漏極部件設置所述第二III-V族化合物層上；
柵電極，所述柵電極設置在位于所述源極部件和所述漏極部件之間的所述第二III-V族化合物層的上方；以及
載流子溝道耗盡層，所述載流子溝道耗盡層設置在所述第二III-V族化合物層上，其中，所述載流子溝道耗盡層采用等離子體沉積并且一部分所述載流子溝道耗盡層位于至少一部分所述柵電極的下方。
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，位于所述柵電極下方的所述載流子溝道包括耗盡區。
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述載流子溝道耗盡層耗盡一部分所述載流子溝道。
4.根據權利要求1所述的半導體結構，進一步包括氟(F)區，所述F區被嵌于所述柵電極下方的所述第二III-V族化合物層中。
5.一種半導體結構，包括：
氮化鎵(GaN)層，所述氮化鎵(GaN)層設置在襯底上；
氮化鋁鎵(AlGaN)層，所述氮化鋁鎵(AlGaN)層設置在所述GaN層上，其中，載流子溝道位于所述GaN層和所述AlGaN層之間；
源極部件和漏極部件，所述源極部件和所述漏極部件相間隔開并且設置在所述AlGaN層上；
柵電極，所述柵電極設置在位于所述源極部件和所述漏極部件之間的所述AlGaN層的上方；以及
載流子溝道耗盡層，部分所述載流子溝道耗盡層設置在所述柵電極和所述AlGaN層之間，其中，所述部分載流子溝道耗盡層位于所述載流子溝道的耗盡區的上面。
6.根據權利要求5所述的半導體結構，其中，所述載流子溝道耗盡層耗盡所述載流子溝道的所述耗盡區。
7.根據權利要求5所述的半導體結構，進一步包括氟(F)區，所述F區被嵌于所述柵電極下方的所述AlGaN層中。
8.一種形成半導體結構的方法，所述方法包括：
提供第一III-V族化合物層；
在所述第一III-V族化合物層上外延生長第二III-V族化合物層，其中，載流子溝道位于所述第一III-V族化合物層和所述第二III-V族化合物層之間；
在所述第二III-V族化合物層上形成源極部件和漏極部件；
在部分所述第二III-V族化合物層上等離子體沉積載流子溝道耗盡層；以及
在位于所述源極部件和所述漏極部件之間的所述部分第二III-V族化合物層的上方形成柵電極。
9.根據權利要求8所述的方法，進一步包括在沉積所述載流子溝道耗盡層之前用氟(F)處理位于所述柵電極下方的部分所述第二III-V族化合物層。
10.根據權利要求8所述的方法，其中，形成所述柵電極包括在所述載流子溝道耗盡層上形成所述柵電極。
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