[發明專利]有效減少孔顯影缺陷的顯影方法

無效

• 申請號: 201210005668.6
• 申請日: 2012-01-09
• 公開（公告）號: CN103197514A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 閔金華;段立峰
• 申請（專利權）人: 上海微電子裝備有限公司
• 主分類號: G03F7/30
• 分類號: G03F7/30;G03F7/16
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種有效減少孔顯影缺陷的顯影方法，其特征在于，包括如下步驟：

第一步、對涂敷有光刻膠的硅片進行表面活性劑潤濕，使后續噴的顯影液與光刻膠充分接觸；

第二步、表面活性劑去除；

第三步、第一次顯影，先將部分曝光處的光刻膠反應掉；

第四步、去除顯影液和反應后的殘渣；

第五步、第二次顯影，與曝光處剩下的光刻膠進行充分的反應；

第六步、去除顯影液和反應后的殘渣；

第七步、第一次高速長時清洗，將大部分的顯影液和殘渣去除；

第八步、清洗液去除，去除混有顯影液和殘渣的清洗液；

第九步、第二次高速長時清洗，將殘留的顯影液和殘渣都去掉；

第十步、清洗液去除，將硅片表面的清洗液全部去除。

2.如權利要求1所述的有效減少孔顯影缺陷的顯影方法，其特征在于，所述表面活性劑含有70％(重量百分比)的丙二醇甲醚和30％(重量百分比)的丙二醇甲醚醋酸酯。

3.如權利要求1所述的有效減少孔顯影缺陷的顯影方法，其特征在于，表面活性劑潤濕時，硅片的轉速在500-600rpm之間，噴灑時間為4-7S。

4.如權利要求1所述的有效減少孔顯影缺陷的顯影方法，其特征在于，表面活性劑去除時，硅片的轉速在2000-3000rpm之間，時間為8-15S。

5.如權利要求1所述的有效減少孔顯影缺陷的顯影方法，其特征在于，第一次顯影和第二次顯影中，采用的顯影液是質量百分比濃度為2.38％的四甲基氫氧化銨溶液，采用的噴嘴為直線移動噴嘴。

6.如權利要求1所述的有效減少孔顯影缺陷的顯影方法，其特征在于，第一次顯影的時間為10-20S，第二次顯影時間為8-15S。

7.如權利要求1所述的有效減少孔顯影缺陷的顯影方法，其特征在于，第一次顯影和第二次顯影時，硅片的轉速均在2000-3000rpm之間，時間均為4-7S。

8.如權利要求1所述的有效減少孔顯影缺陷的顯影方法，其特征在于，兩次清洗液去除時，硅片的轉速均在2000-3000rpm之間。

9.如權利要求1所述的有效減少孔顯影缺陷的顯影方法，其特征在于，第一次高速長時清洗和第二次高速長時清洗時，硅片的轉速均在1000-1500rpm之間，時間均為30-50S。

10.如權利要求1～9中任意一項所述的有效減少孔顯影缺陷的顯影方法，其特征在于，在第一次高速長時清洗前，先進行低速短時清洗，使光刻膠表面被水潤濕后再進行第一次高速長時清洗。

11.如權利要求10所述的有效減少孔顯影缺陷的顯影方法，其特征在于，進行低速短時清洗時，硅片的轉速在50-150rpm之間，時間為2-4S。