[發明專利]過電壓保護電路及驅動電路

無效

• 申請號: 201210005380.9
• 申請日: 2012-01-06
• 公開（公告）號: CN103166210A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 賴建豐
• 申請（專利權）人: 隆達電子股份有限公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04;H02H3/20;H05B37/02
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 馮志云;呂俊清

1.一種過電壓保護電路，適于配置在一芯片的一電源接腳與一電源端之間，其特征在于該過電壓保護電路包括：

一電壓檢測單元，耦接于該電源端與一接地端之間，根據該電源端的電壓電平輸出一設定電壓；

一限流組件，耦接該電源端與該芯片的該電源接腳之間；以及

一開關組件，耦接于該芯片的該電源接腳與該接地端之間，其中該開關組件并耦接該電壓檢測單元以受控于該設定電壓；

其中，當該電源端的電壓電平高于一第一預設值時，該開關組件導通以關閉該芯片所接收到的電壓。

2.如權利要求1所述的過電壓保護電路，其特征在于該電壓檢測單元包括：

一第一電阻，耦接于該電源端與一共享端之間；以及

一第二電阻，耦接于該共享端與該接地端之間；

其中該設定電壓由該共享端產生。

3.如權利要求2所述的過電壓保護電路，其特征在于該電壓檢測單元更包括一比較器，該比較器具有一第一輸入端、一第二輸入端與一輸出端，該第一輸入端耦接于該共享端，該第二輸入端耦接于一參考電壓，該輸出端用以輸出該設定電壓至該開關組件。

4.如權利要求1所述的過電壓保護電路，其特征在于該限流組件為一電阻。

5.如權利要求1所述的過電壓保護電路，其特征在于該開關組件為一NMOS晶體管，該NMOS晶體管的漏極耦接于該電源接腳，該NMOS晶體管的源極耦接于該接地端，該NMOS晶體管的柵極耦接于該電壓檢測單元以接收該設定電壓。

6.如權利要求1所述的過電壓保護電路，其特征在于該開關組件為一NPN晶體管，該NPN晶體管的集電極耦接于該電源接腳，該NPN晶體管的射極耦接于該接地端，該NPN晶體管的基極耦接于該電壓檢測單元以接收該設定電壓。

7.如權利要求1所述的過電壓保護電路，其特征在于更包括：

一齊納二極管，其陽極耦接于該接地端，其陰極耦接于該芯片的該電源接腳；以及

一電容，耦接于該芯片的該電源接腳與該接地端之間。

8.如權利要求1所述的過電壓保護電路，其特征在于該芯片為一離線式線性發光二極管驅動芯片。

9.如權利要求2所述的過電壓保護電路，其特征在于該電源端耦接于一整流電路，該整流電路整流一交流電壓，并經由該電源端對該芯片供電，其中當該交流電壓大于該第一預設值時，該開關組件導通，其中該第一預設值與該第一電阻的電阻值、該第二電阻的電阻值以及該開關組件的導通電壓相關，其公式如下：

Vset=(1+R1R2)×Vth2]]>

其中，Vset表示該第一預設值；R1表示該第一電阻的電阻值；R2表示該第二電阻的電阻值；Vth表示該開關組件的導通電壓。

10.一種驅動電路，適用于驅動具有至少一發光二極管的一發光單元，該發光單元的一第一端耦接于一電源端，其特征在于該驅動電路包括：

一芯片，耦接于該發光單元的一第二端，用以驅動該發光單元；以及

一過電壓保護電路，耦接于該電源端與該芯片的一電源接腳之間，該過電壓保護電路包括：

一電壓檢測單元，耦接于該電源端與一接地端之間，根據該電源端的電壓電平輸出一設定電壓；

一限流組件，耦接該電源端與該芯片的該電源接腳之間；以及

一開關組件，耦接于該芯片的該電源接腳與該接地端之間，其中該開關組件并耦接該電壓檢測單元以受控于該設定電壓；

其中，當該電源端的電壓電平高于一第一預設值時，該開關組件導通以關閉該芯片的電源，使該芯片停止驅動該發光單元。