[發明專利]具有壓電系數d31的壓電駐極體功能膜的制備方法

無效

• 申請號: 201210005276.X
• 申請日: 2012-01-10
• 公開（公告）號: CN102569641A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 張曉青;游瓊;婁可行
• 申請（專利權）人: 同濟大學
• 主分類號: H01L41/26
• 分類號: H01L41/26
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種具有壓電系數d₃₁的壓電駐極體功能膜的制備方法，其特征在于具體步驟為：非極性聚合物材料，利用壓印、噴涂、提拉或旋涂工藝，在帶有溝槽結構的模板表面形成與模板結構相同形狀的聚合物薄膜，薄膜的厚度在1μm～200μm之間；然后將兩個相同結構的聚合物膜熱壓粘合，得到溝槽和密實部分相間排列的孔洞結構復合薄膜；最后對復合薄膜進行極化處理。

2.根據權利要求1所述的具有壓電系數d₃₁的壓電駐極體功能膜的制備方法，其特征在于所述極化處理采用電暈充電工藝或接觸法充電工藝；其中，所述電暈充電工藝的步驟為：電暈充電電壓為±2kV～±100kV，柵控電壓為±50V～±10kV，充電溫度小于或等于薄膜的熔點溫度，充電時間5ms～2h,電極與膜的間距為2cm～15cm,電暈電極的形狀是針狀、絲狀、刀口狀或上述形狀電極組成的陣列，電暈充電后獲得具有強壓電應力應變系數d₃₁壓電駐極體膜；所述接觸法充電工藝的步驟為：首先在帶有溝槽微結構的薄膜兩面真空蒸鍍或絲網印刷金屬電極，然后將直流偏壓直接加載到兩金屬電極上，直流偏壓的大小為±100V～±10kV，充電溫度小于或等于薄膜的熔點溫度，充電時間5ms～2h,得到具有強壓電應變系數d₃₁壓電駐極體膜。

3.根據權利要求1所述的具有壓電系數d₃₁的壓電駐極體功能膜的制備方法，其特征在于所述非極性聚合物材料為聚丙烯、聚酯、氟化乙丙稀共聚物、聚四氟乙烯或環烯烴共聚物。