[發明專利]缺陷碳粉的改良處理方法

無效

• 申請號: 201210005141.3
• 申請日: 2012-01-09
• 公開（公告）號: CN102566342A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 于普海;湯付根
• 申請（專利權）人: 珠海思美亞碳粉有限公司
• 主分類號: G03G9/08
• 分類號: G03G9/08
• 代理公司: 深圳市順天達專利商標代理有限公司 44217
• 代理人: 高占元;張秋紅

1.一種缺陷碳粉的改良處理方法，其特征在于，在缺陷碳粉中添加處理劑攪拌混合均勻，所述處理劑包括表面改性處理的二氧化鈦和鈦酸鍶中的至少一種、表面改性處理的二氧化硅，其中缺陷碳粉的重量份數為96.5份～99.8份、所述表面改性處理的二氧化鈦的重量份數為0.1份～1.8份、所述表面改性處理的二氧化硅為0.1份～2.8份、所述鈦酸鍶的重量份數為0.02份～1.5份。

2.根據權利要求1所述的缺陷碳粉的改良處理方法，其特征在于，所述處理劑還包括重量份數為0.2份～1.5份的潤滑劑。

3.根據權利要求1或2所述的缺陷碳粉的改良處理方法，其特征在于，所述表面改性處理的二氧化硅為帶負電的改性二氧化硅或帶正電的改性二氧化硅，所述帶負電的改性二氧化硅的重量份數為0.3份～2.8份，所述帶正電的改性二氧化硅的重量份數為0.1份～1.5份。

4.根據權利要求3所述的缺陷碳粉的改良處理方法，其特征在于，所述帶負電的改性二氧化硅的帶電量為-30～-800uc/g；所述帶正電的改性二氧化硅的帶電量為30～500uc/g。

5.根據權利要求3所述的缺陷碳粉的改良處理方法，其特征在于，所述帶負電的改性二氧化硅的粒徑為5～150nm；所述帶正電的改性二氧化硅的粒徑為7～150nm。

6.根據權利要求1或2所述的缺陷碳粉的改良處理方法，其特征在于，所述表面改性處理的二氧化硅是經聚二甲基硅烷或六甲基二硅氮烷表面處理的二氧化硅。

7.根據權利要求1或2所述的缺陷碳粉的改良處理方法，其特征在于，所述表面改性處理的二氧化鈦是經反應性硅油進行表面處理的二氧化鈦。

8.根據權利要求1或2所述的缺陷碳粉的改良處理方法，其特征在于，所述表面改性處理的二氧化鈦的粒徑為50～300nm、帶電量為-20～-90uc/g。

9.根據權利要求2所述的缺陷碳粉的改良處理方法，其特征在于，所述潤滑劑為脂肪酸金屬鹽。

10.根據權利要求1或2所述的缺陷碳粉的改良處理方法，其特征在于，將所述缺陷碳粉和所述處理劑放入到可調速的混合機中，先低速混合一次到兩次，混合速度為700～800轉/min，每次混合時間為1～3min、間停20s～120s；再高速混合一次到兩次，混合速度為1400～1600轉/min，每次混合時間為1～3min、間停20s～120s，最后過篩得到改良碳粉。