[發明專利]一種提高CO2激光器倍頻效率的準相位匹配晶體制備方法有效
| 申請號： | 201210004947.0 | 申請日： | 2012-01-09 |
| 公開（公告）號： | CN102570276A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 李強;羅旭;雷訇;惠勇凌;姜夢華 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | H01S3/109 | 分類號： | H01S3/109;G02F1/37 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人： | 劉萍 |
| 地址： | 100124 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 co sub 激光器 倍頻 效率 相位 匹配 晶體 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高CO2激光器倍頻效率的準相位匹配晶體制備方法，其特征在于：用硒化鋅單晶作為準相位匹配倍頻晶體，將硒化鋅單晶垂直<110>方向切割成多個規格相同的厚度為100-120μm的薄片，相鄰晶片極化方向相差180°，晶片的表面拋光后經過氫離子束轟擊處理，通過鍵合技術將相鄰硒化鋅晶片牢固結合，使多層晶片形成一體。
2.根據權利要求1所述的提高CO2激光器倍頻效率的準相位匹配晶體制備方法，其特征在于：使用氫離子束清洗硒化鋅表面，清洗過程在真空度小于5*10-5Pa的真空中進行，轟擊時間為20分鐘；鍵合過程在超高真空中進行，真空度小于10-7Pa，晶片整體均勻加溫到200℃，晶片均勻施加10kg/cm2的壓力，保持60分鐘，最后退火到室溫。
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