[發明專利]低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法有效
| 申請號： | 201210004411.9 | 申請日： | 2012-01-09 |
| 公開（公告）號： | CN102629558A | 公開（公告）日： | 2012-08-08 |
| 發明（設計）人： | 許民慶;吳釗鵬;莊涂城;余鴻志;吳宏哲 | 申請（專利權）人： | 深超光電(深圳)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/331 | 分類號： | H01L21/331;H01L21/324 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518109 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 低溫 多晶 薄膜晶體管 制造 方法 | ||
1.一種低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，其特征在于，該方法包括：
于一基板上形成一非晶硅層；
對該非晶硅層進行去氫處理，使該非晶硅層成為一微晶粒狀；
再于該微晶粒狀的非晶硅層上形成一非晶硅層；
再對該非晶硅層進行去氫處理，使該非晶硅層成為一微晶粒狀；
重復形成該非晶硅層并進行去氫處理，以形成該多層微晶粒狀的非晶硅層；
進行一準分子激光退火工藝，使該多層微晶粒狀的非晶硅層結晶成為一多晶硅層。
2.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，其特征在于：形成該非晶硅層通入之氣體為SiH4/H2，其中SiH4/H2比率需大于0.5。
3.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，其特征在于：形成該非晶硅層時，所使用之功率(Power)為400W-2400W。
4.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，其特征在于：形成該非晶硅層時，該基板與上電極間之距離(Spacing)為500MIL-1100MIL。
5.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，其特征在于：形成該非晶硅層時，腔體壓力(Pressure)為1100MPA-2500MPA。
6.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，其特征在于：形成該非晶硅層時，腔體溫度(Temperature)為280℃-500℃。
7.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，其特征在于：形成該非晶硅層時，腔體氣體流速(FLOW)為2000SCCM-45000SCCM。
8.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，其特征在于：形成該微晶粒狀的非晶硅層時，通入腔室之氣體為H2/He/Ar。
9.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，其特征在于：形成該該微晶粒狀的非晶硅層時，功率(Power)為400W-2400W。
10.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，其特征在于：形成該該微晶粒狀的非晶硅層時，該基板與上電極間之距離(Spacing)為500MIL-1100MIL。
11.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，其特征在于：形成該該微晶粒狀的非晶硅層時，腔體壓力(Pressure)為1100MPA-3000MPA。
12.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，其特征在于：形成該該微晶粒狀的非晶硅層時，腔體溫度(Temperature)為280℃-500℃。
13.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，其特征在于：形成該該微晶粒狀的非晶硅層時，氣體流速(FLOW)為2000SCCM-45000SCCM。
14.如權利要求1所述的低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，其特征在于：該多層去氫后之非晶硅層至少為三層。
15.如權利要求14所述的低溫多晶硅薄膜晶體管制造方法，其特征在于：該三層非晶硅層總厚度為
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
