[發明專利]基于復合介質柵MOSFET光敏探測器源漏浮空編程方法

有效

• 申請號: 201210004076.2
• 申請日: 2012-01-09
• 公開（公告）號: CN102544039A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 閆鋒;馬浩文;吳福偉;夏好廣;卜曉峰
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 陳建和

1.基于復合介質柵MOSFET光敏探測器源漏浮空編程方法，復合介質柵MOSFET光敏探測器單元結構包括：P型半導體襯底（1），半導體襯底正上方依次設有底層絕緣介質（5），電荷存儲層（4），頂層絕緣介質（3），控制柵（2）；半導體襯底中靠近疊層介質兩側通過離子注入摻雜形成N型源極（6）和漏極（7）；

曝光編程過程步驟:?曝光過程中源極和漏極浮空，襯底加一負偏壓脈沖Vb，同時控制柵要加一正向偏壓脈沖Vg。

2.根據權利要求1所述的基于復合介質柵MOSFET光敏探測器源漏浮空編程方法，其特征是曝光過程中源極和漏極浮空，襯底加一個兩段的負偏壓脈沖，兩段電壓分別為Vb1、Vb2，同時控制柵加一個兩段的正偏壓脈沖，兩段電壓分別為Vg1、Vg2。

3.根據權利要求1所述的基于復合介質柵MOSFET光敏探測器源漏浮空編程方法，參數選擇是：Vg數值范圍0~15V，Vb數值范圍-15~0V，Vg1數值范圍0-10V，Vg2數值范圍0~15V，?Vb1數值范圍-10~0V，Vb2數值范圍-15~0V。

4.根據權利要求1所述的基于復合介質柵MOSFET光敏探測器源漏浮空編程方法，所述襯底加一個兩段的負偏壓脈沖，兩段電壓分別為Vb1、Vb2，控制柵加一個兩段的正偏壓脈沖，是指使用前段時間較長電壓較小的脈沖和后段時間極短電壓稍大的脈沖相結合的方法來實現曝光編程；用前段時間較長電壓較小的脈沖來產生光電子并將光電子收集到P型半導體襯底和底層絕緣層的界面處，而后段時間極短電壓稍大的脈沖使得P型半導體襯底中的光電子通過F-N隧穿進入電荷存儲層。

5.根據權利要求1所述的基于復合介質柵MOSFET光敏探測器源漏浮空編程方法，其特征是操作條件是控制柵電壓為7至12V，襯底電壓為-9至-5V。