[發明專利]一種具有最小電位選擇功能的運算放大器

有效

• 申請號: 201210004062.0
• 申請日: 2012-01-09
• 公開（公告）號: CN102571007A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 周澤坤;邱實;徐祥柱;石躍;吳傳奎;譚林;張竹賢;明鑫;王卓;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H03F3/45
• 分類號: H03F3/45
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 周永宏

1.一種具有最小電位選擇功能的運算放大器，包括偏置電路、反相輸入管和輸出級電路，其特征在于，還包括最小電壓選取電路和輸入跟隨電路，其中，所述的偏置電路分別為最小電壓選取電路、輸入跟隨電路和輸出級電路提供偏置電壓，具體為：偏置電路的第一輸出端子為最小電壓選取電路提供偏置電壓并作為最小電壓選取電路的第一輸出端子，偏置電路的第二輸出端子為輸入跟隨電路提供偏置電壓并作為輸入跟隨電路的輸出端子，偏置電路的第三、第四輸出端子分別與輸出級電路的第四輸入端子、第五輸入端子相連，為輸出級電路提供偏置電壓；最小電壓選取電路的多路輸入端子作為運算放大器的多路輸入端子，最小電壓選取電路的第一輸出端子與反相輸入管的源極相連，反相輸入管的漏極與輸出級電路的第一輸入端子相連，反相輸入管的柵極接外部的基準電壓和輸入跟隨電路的輸入端子，最小電壓選取電路的第二輸出端子與輸出級電路的第二輸入端子相連，輸入跟隨電路的輸出端子與輸出級電路的第三輸入端子相連，輸出級電路的第五輸入端子作為輸出級電路的輸出端子即為所述運算放大器的輸出端。

2.根據權利要求1所述的運算放大器，其特征在，最小電壓選取電路包括多個并聯連接的PMOS管，具體為：多個PMOS管的源極連接在一起作為最小電壓選取電路的第一輸出端子，多個PMOS管的漏極連接在一起作為最小電壓選取電路的第二輸出端子，多個PMOS管的柵極分別作為最小電壓選取電路的多路輸入端子用于接外部的多路輸入電壓。

3.根據權利要求1或2所述的運算放大器，其特征在于，

所述的最小電壓選取電路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管，所述四個PMOS管并聯連接，具體為：四個PMOS管的源極連接在一起作為最小電壓選取電路的第一輸出端子，四個PMOS管的漏極連接在一起作為最小電壓選取電路的第二輸出端子，四個PMOS管的柵極分別作為最小電壓選取電路的四路輸入端子用于接外部的四路輸入電壓；

所述的偏置電路包括一偏置電流源、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管和第十五PMOS管，具體連接關系為：第六PMOS管的源極接電源電壓，第六PMOS管的柵極接第六PMOS管的漏極和第七PMOS管的源極，第七PMOS管極接第七PMOS管的漏極同時串接偏置電流源的一端，偏置電流源的另一端接地電位；第八PMOS管的源極接電源電壓，第八PMOS管的柵極接第六PMOS管的柵極，第八PMOS管的漏極接第九PMOS管的源極，第九PMOS管的柵極接第七PMOS管的柵極，第九PMOS管的漏極作為偏置電路的第一輸出端子；第十PMOS管的源極接電源電壓，第十PMOS管的柵極接第六PMOS管的柵極，第十PMOS管的漏極接第十一PMOS管的源極，第十一PMOS管的柵極接第七PMOS管的柵極，第十一PMOS管的漏極作為偏置電路的第二輸出端子；第十二PMOS管的源極接電源電壓，第十二PMOS管的柵極接第六管的柵極，第十二PMOS管的漏極接第十三PMOS管的源極，第十三PMOS管的柵極接第七PMOS管的柵極，第十三PMOS管的漏極作為偏置電路的第三輸出端子；第十四PMOS管的源極接電源電壓，第十四PMOS管的柵極接第六PMOS管的柵極，第十四PMOS管的漏極接第十五PMOS管的源極，第十五PMOS管的柵極接第七PMOS管的柵極，第十五PMOS管的漏極作為偏置電路的第四輸出端子。

所述輸出級電路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，第二NMOS管的漏極和第一NMOS管的柵極相連，作為輸出級電路的第四輸入端子；第二NMOS管的柵極作為輸出級電路的第三輸入端子；第二NMOS管的源極接第一NMOS管的漏極并作為輸出級電路的第一輸入端子；第一NMOS管的源極和第三NMOS管的源極接地電位，第四NMOS管的漏極作為輸出級電路的第五輸入端子；第四NMOS管的柵極接第二NMOS管的柵極，第四NMOS管的源極接第三NMOS管的漏極，并作為輸出級電路的第二輸入端子，第三NMOS管的柵極接第一NMOS管的柵極；

所述的輸入跟隨電路包括第十六PMOS管，其中，第十六PMOS管的柵極作為輸入跟隨電路的輸入端子，源極作為輸入跟隨電路的輸出端子，漏極接地電位。