[發明專利]一種平面型雙向觸發二極管芯片制造方法

有效

• 申請號: 201210004060.1
• 申請日: 2012-01-09
• 公開（公告）號: CN102522333A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 薛列龍
• 申請（專利權）人: 薛列龍
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

1.一種平面型雙向觸發二極管芯片制造方法，以厚度100-300μm的P型晶片為原料，在晶片表面生長氧化層、光刻擴散窗口和將晶片切割為芯片的工序，其特征在于，在所述光刻擴散窗口和將晶片切割為芯片的工序之間包括如下工序：

1）擴散窗口下沉；在擴散窗口中注入混酸，對擴散窗口中的晶片表面進行腐蝕，腐蝕深度以所述晶片表面為基準面，下沉5~40μm；

2）磷擴散；將上步驟制得的晶片清洗，再放入擴散爐中進行磷擴散；在晶片本體縱截面上形成N+、P、N+區域，同時在所述晶片本體氧化層表面下形成反型層；

3）去除表面反型層；第一、去除上步驟制得晶片表面的氧化層；第二、去除所述晶片本體氧化層表面下形成反型層；由于步驟1）擴散窗口下沉，在前述第二步去除反型層時，所述下沉的擴散窗口會進一步下沉，形成下沉窗口；

4）高溫驅進雜質并生長二氧化硅鈍化膜層；在1000-1270℃環境下生長一層二氧化硅鈍化膜層以保護PN+結；在此溫度下，同時驅進磷雜質，推PN+結深至40-80μm；由于均勻生長二氧化硅鈍化膜層，在所述生長有二氧化硅鈍化膜層的本體表面仍顯現下沉窗口輪廓；

5）光刻金屬電極窗口；沿所述下沉窗口輪廓，進行金屬電極窗口光刻；在晶片表面形成金屬電極窗口；

6）鍍鎳金；在金屬電極窗口底面鍍上鎳金層，作為金屬電極。

2.根據權利要求1所述的一種平面型雙向觸發二極管芯片制造方法，其特征在于，還包括在所述金屬電極上設置凸點的工序，所述設置凸點的工序為：在所述金屬電極表面增設凸出于晶片表面的由焊錫凝固形成的凸點。

3.根據權利要求1所述的一種平面型雙向觸發二極管芯片制造方法，其特征在于，還包括在所述金屬電極上設置凸點的工序，所述設置凸點的工序為：在所述金屬電極表面增設凸出于晶片表面的由電鍍銀形成的凸點。